Napięcie między drenem a źródłem w MOSFET Formuły

Napięcie między drenem a źródłem jest kluczowym parametrem w działaniu tranzystora polowego (FET) i jest często określane jako „napięcie dren-źródło” lub VDS. I jest oznaczony przez V_DS. Napięcie między drenem a źródłem jest zwykle mierzona przy użyciu Wolt dla Potencjał elektryczny. Należy pamiętać, że wartość Napięcie między drenem a źródłem to zawsze negatywny.

Formuły MOSFET korzystające z Napięcie między drenem a źródłem

fxPrąd spustowy w regionie triody tranzystora PMOSIść

fxPrąd drenażowy w regionie triody tranzystora PMOS, biorąc pod uwagę VsdIść

fxCałkowity prąd drenu tranzystora PMOSIść

fxŁadunek warstwy inwersji w warunkach zwarcia w PMOSIść

FAQ

Co to jest Napięcie między drenem a źródłem?

Napięcie między drenem a źródłem jest kluczowym parametrem w działaniu tranzystora polowego (FET) i jest często określane jako „napięcie dren-źródło” lub VDS. Napięcie między drenem a źródłem jest zwykle mierzona przy użyciu Wolt dla Potencjał elektryczny. Należy pamiętać, że wartość Napięcie między drenem a źródłem to zawsze negatywny.

Czy Napięcie między drenem a źródłem może być ujemna?

Tak, Napięcie między drenem a źródłem, zmierzona w Potencjał elektryczny Móc będzie ujemna.

Jakiej jednostki używa się do pomiaru Napięcie między drenem a źródłem?

Wartość Napięcie między drenem a źródłem jest zwykle mierzona przy użyciu zmiennej Wolt[V] dla wartości Potencjał elektryczny. Miliwolt[V], Mikrowolt[V], Nanowolt[V] to kilka innych jednostek, w których można mierzyć Napięcie między drenem a źródłem.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!