Efektywne napięcie w MOSFET Formuły

Efektywne napięcie w MOSFET (tranzystorze polowym typu metal-tlenek-półprzewodnik) to napięcie, które określa zachowanie urządzenia. Nazywa się je również napięciem bramki-źródła. I jest oznaczony przez V_eff. Efektywne napięcie jest zwykle mierzona przy użyciu Wolt dla Potencjał elektryczny. Należy pamiętać, że wartość Efektywne napięcie to zawsze pozytywny.

Formuły MOSFET korzystające z Efektywne napięcie

fxPrąd nasycenia drenu tranzystora MOSFETIść

fxNapięcie progowe, gdy MOSFET działa jako wzmacniaczIść

fxNapięcie między bramką a źródłem tranzystora MOSFET na różnicowym napięciu wejściowym przy napięciu przesterowaniaIść

fxNapięcie progowe MOSFET-uIść

fxWielkość ładunku elektronowego w kanale MOSFETIść

fxPrąd polaryzacji DC tranzystora MOSFET przy użyciu napięcia przesterowaniaIść

fxWzmocnienie napięcia przy danym napięciu drenuIść

fxMaksymalne wzmocnienie napięcia w punkcie polaryzacjiIść

fxMOSFET jako rezystancja liniowa przy danym współczynniku kształtuIść

fxRezystancja zależna od napięcia w MOSFET-ieIść

FAQ

Co to jest Efektywne napięcie?

Efektywne napięcie w MOSFET (tranzystorze polowym typu metal-tlenek-półprzewodnik) to napięcie, które określa zachowanie urządzenia. Nazywa się je również napięciem bramki-źródła. Efektywne napięcie jest zwykle mierzona przy użyciu Wolt dla Potencjał elektryczny. Należy pamiętać, że wartość Efektywne napięcie to zawsze pozytywny.

Czy Efektywne napięcie może być ujemna?

NIE, Efektywne napięcie, zmierzona w Potencjał elektryczny Nie mogę będzie ujemna.

Jakiej jednostki używa się do pomiaru Efektywne napięcie?

Wartość Efektywne napięcie jest zwykle mierzona przy użyciu zmiennej Wolt[V] dla wartości Potencjał elektryczny. Miliwolt[V], Mikrowolt[V], Nanowolt[V] to kilka innych jednostek, w których można mierzyć Efektywne napięcie.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!