Boczny zasięg obszaru wyczerpania ze źródłem w Produkcja VLSI Formuły

Poprzeczny zasięg obszaru zubożenia ze źródłem Pozioma odległość, na którą obszar zubożenia rozciąga się w bok od końcówki źródła w urządzeniu półprzewodnikowym. I jest oznaczony przez ΔL_s. Boczny zasięg obszaru wyczerpania ze źródłem jest zwykle mierzona przy użyciu Mikrometr dla Długość. Należy pamiętać, że wartość Boczny zasięg obszaru wyczerpania ze źródłem to zawsze pozytywny.

Formuły Produkcja VLSI korzystające z Boczny zasięg obszaru wyczerpania ze źródłem

fxGęstość ładunku w regionie wyczerpania zbiorczego VLSIIść

FAQ

Co to jest Boczny zasięg obszaru wyczerpania ze źródłem?

Poprzeczny zasięg obszaru zubożenia ze źródłem Pozioma odległość, na którą obszar zubożenia rozciąga się w bok od końcówki źródła w urządzeniu półprzewodnikowym. Boczny zasięg obszaru wyczerpania ze źródłem jest zwykle mierzona przy użyciu Mikrometr dla Długość. Należy pamiętać, że wartość Boczny zasięg obszaru wyczerpania ze źródłem to zawsze pozytywny.

Czy Boczny zasięg obszaru wyczerpania ze źródłem może być ujemna?

NIE, Boczny zasięg obszaru wyczerpania ze źródłem, zmierzona w Długość Nie mogę będzie ujemna.

Jakiej jednostki używa się do pomiaru Boczny zasięg obszaru wyczerpania ze źródłem?

Wartość Boczny zasięg obszaru wyczerpania ze źródłem jest zwykle mierzona przy użyciu zmiennej Mikrometr[μm] dla wartości Długość. Metr[μm], Milimetr[μm], Kilometr[μm] to kilka innych jednostek, w których można mierzyć Boczny zasięg obszaru wyczerpania ze źródłem.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!