Weerstand van collector en emitter (IGBT) in Geavanceerde transistorapparaten Formules

Weerstand van collector en emitter (IGBT), ook bekend als de weerstand in de toestand (R En wordt aangegeven met R_ce(igbt). Weerstand van collector en emitter (IGBT) wordt gewoonlijk gemeten met de Kilohm voor Elektrische Weerstand. Houd er rekening mee dat de waarde van Weerstand van collector en emitter (IGBT) altijd positief is.

Geavanceerde transistorapparaten-formules die gebruik maken van Weerstand van collector en emitter (IGBT)

fxNominale continue collectorstroom van IGBTGan

FAQ

Wat is de Weerstand van collector en emitter (IGBT)?

Weerstand van collector en emitter (IGBT), ook bekend als de weerstand in de toestand (R Weerstand van collector en emitter (IGBT) wordt gewoonlijk gemeten met de Kilohm voor Elektrische Weerstand. Houd er rekening mee dat de waarde van Weerstand van collector en emitter (IGBT) altijd positief is.

Kan de Weerstand van collector en emitter (IGBT) negatief zijn?

Nee, de Weerstand van collector en emitter (IGBT), gemeten in Elektrische Weerstand kan niet moet negatief zijn.

Welke eenheid wordt gebruikt om Weerstand van collector en emitter (IGBT) te meten?

Weerstand van collector en emitter (IGBT) wordt meestal gemeten met de Kilohm[kΩ] voor Elektrische Weerstand. Ohm[kΩ], Megohm[kΩ], Microhm[kΩ] zijn de weinige andere eenheden waarin Weerstand van collector en emitter (IGBT) kan worden gemeten.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!