Voorwaartse transconductantie FET in Geavanceerde transistorapparaten Formules

Forward Transconductance FET verwijst naar de verandering in de uitgangsstroom als gevolg van een verandering in de ingangsspanning, wat de versterkingscapaciteit van het apparaat aangeeft. En wordt aangegeven met G_m(fet). Voorwaartse transconductantie FET wordt gewoonlijk gemeten met de Millisiemens voor Elektrische geleiding. Houd er rekening mee dat de waarde van Voorwaartse transconductantie FET altijd positief is.

Formules om Voorwaartse transconductantie FET te vinden in Geavanceerde transistorapparaten

fxTransconductantie van FETGan

Geavanceerde transistorapparaten-formules die gebruik maken van Voorwaartse transconductantie FET

fxSpanningsversterking van FETGan

Lijst met variabelen in formules van Geavanceerde transistorapparaten

fx Nul bias-afvoerstroom Gan

fx Knijp UIT-spanning Gan

fx Afvoerbronspanning FET Gan

FAQ

Wat is de Voorwaartse transconductantie FET?

Forward Transconductance FET verwijst naar de verandering in de uitgangsstroom als gevolg van een verandering in de ingangsspanning, wat de versterkingscapaciteit van het apparaat aangeeft. Voorwaartse transconductantie FET wordt gewoonlijk gemeten met de Millisiemens voor Elektrische geleiding. Houd er rekening mee dat de waarde van Voorwaartse transconductantie FET altijd positief is.

Kan de Voorwaartse transconductantie FET negatief zijn?

Nee, de Voorwaartse transconductantie FET, gemeten in Elektrische geleiding kan niet moet negatief zijn.

Welke eenheid wordt gebruikt om Voorwaartse transconductantie FET te meten?

Voorwaartse transconductantie FET wordt meestal gemeten met de Millisiemens[mS] voor Elektrische geleiding. Siemens[mS], Megasiemens[mS], Mho[mS] zijn de weinige andere eenheden waarin Voorwaartse transconductantie FET kan worden gemeten.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!