Transconductantieprocesparameter in MOSFET Formules

Transconductance Process Parameter is een apparaatspecifieke constante die het vermogen van de transistor karakteriseert om een verandering in de poortspanning om te zetten in een verandering in de uitgangsstroom. En wordt aangegeven met k_n. Transconductantieprocesparameter wordt gewoonlijk gemeten met de Ampère per vierkante volt voor Transconductantieparameter. Houd er rekening mee dat de waarde van Transconductantieprocesparameter altijd negatief is.

MOSFET-formules die gebruik maken van Transconductantieprocesparameter

fxVerzadigingstijdGan

fxTijdvertraging wanneer NMOS in een lineair gebied werktGan

FAQ

Wat is de Transconductantieprocesparameter?

Transconductance Process Parameter is een apparaatspecifieke constante die het vermogen van de transistor karakteriseert om een verandering in de poortspanning om te zetten in een verandering in de uitgangsstroom. Transconductantieprocesparameter wordt gewoonlijk gemeten met de Ampère per vierkante volt voor Transconductantieparameter. Houd er rekening mee dat de waarde van Transconductantieprocesparameter altijd negatief is.

Kan de Transconductantieprocesparameter negatief zijn?

Ja, de Transconductantieprocesparameter, gemeten in Transconductantieparameter kan moet negatief zijn.

Welke eenheid wordt gebruikt om Transconductantieprocesparameter te meten?

Transconductantieprocesparameter wordt meestal gemeten met de Ampère per vierkante volt[A/V²] voor Transconductantieparameter. Milliampère per vierkante volt[A/V²], Microampère per vierkante volt[A/V²] zijn de weinige andere eenheden waarin Transconductantieprocesparameter kan worden gemeten.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!