Transconductantie van de MESFET in Microgolf-halfgeleiders Formules

Transconductantie van de MESFET is een sleutelparameter in MESFET’s, die de verandering in drainstroom vertegenwoordigt ten opzichte van de verandering in gate-source-spanning. En wordt aangegeven met G_m. Transconductantie van de MESFET wordt gewoonlijk gemeten met de Siemens voor Elektrische geleiding. Houd er rekening mee dat de waarde van Transconductantie van de MESFET altijd positief is.

Formules om Transconductantie van de MESFET te vinden in Microgolf-halfgeleiders

fxTransconductantie in het verzadigingsgebied in MESFETGan

Microgolf-halfgeleiders-formules die gebruik maken van Transconductantie van de MESFET

fxMESFET-afsnijfrequentieGan

fxRuisfactor GaAs MESFETGan

Lijst met variabelen in formules van Microgolf-halfgeleiders

fx Uitgangsgeleiding Gan

fx Ingangsspanning Gan

fx Drempelspanning Gan

fx Afknijpspanning Gan

FAQ

Wat is de Transconductantie van de MESFET?

Transconductantie van de MESFET is een sleutelparameter in MESFET’s, die de verandering in drainstroom vertegenwoordigt ten opzichte van de verandering in gate-source-spanning. Transconductantie van de MESFET wordt gewoonlijk gemeten met de Siemens voor Elektrische geleiding. Houd er rekening mee dat de waarde van Transconductantie van de MESFET altijd positief is.

Kan de Transconductantie van de MESFET negatief zijn?

Nee, de Transconductantie van de MESFET, gemeten in Elektrische geleiding kan niet moet negatief zijn.

Welke eenheid wordt gebruikt om Transconductantie van de MESFET te meten?

Transconductantie van de MESFET wordt meestal gemeten met de Siemens[S] voor Elektrische geleiding. Megasiemens[S], Millisiemens[S], Mho[S] zijn de weinige andere eenheden waarin Transconductantie van de MESFET kan worden gemeten.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!