Poort-naar-emittercapaciteit (IGBT) in Geavanceerde transistorapparaten Formules

Gate to Emitter Capacitance (IGBT) is de capaciteit tussen de gate- en emitteraansluitingen van het apparaat. En wordt aangegeven met C_(g-e)(igbt). Poort-naar-emittercapaciteit (IGBT) wordt gewoonlijk gemeten met de Farad voor Capaciteit. Houd er rekening mee dat de waarde van Poort-naar-emittercapaciteit (IGBT) altijd positief is.

Geavanceerde transistorapparaten-formules die gebruik maken van Poort-naar-emittercapaciteit (IGBT)

fxIngangscapaciteit van IGBTGan

FAQ

Wat is de Poort-naar-emittercapaciteit (IGBT)?

Gate to Emitter Capacitance (IGBT) is de capaciteit tussen de gate- en emitteraansluitingen van het apparaat. Poort-naar-emittercapaciteit (IGBT) wordt gewoonlijk gemeten met de Farad voor Capaciteit. Houd er rekening mee dat de waarde van Poort-naar-emittercapaciteit (IGBT) altijd positief is.

Kan de Poort-naar-emittercapaciteit (IGBT) negatief zijn?

Nee, de Poort-naar-emittercapaciteit (IGBT), gemeten in Capaciteit kan niet moet negatief zijn.

Welke eenheid wordt gebruikt om Poort-naar-emittercapaciteit (IGBT) te meten?

Poort-naar-emittercapaciteit (IGBT) wordt meestal gemeten met de Farad[F] voor Capaciteit. Kilofarad[F], Millifarad[F], Microfarad[F] zijn de weinige andere eenheden waarin Poort-naar-emittercapaciteit (IGBT) kan worden gemeten.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!