FormulaDen.com
Fysica
Chemie
Wiskunde
Chemische technologie
Civiel
Elektrisch
Elektronica
Elektronica en instrumentatie
Materiaal kunde
Mechanisch
Productie Engineering
Financieel
Gezondheid
Je bent hier
-
Thuis
»
Engineering
»
Elektronica
»
Solid State-apparaten
Overmatige dragerconcentratie in Solid State-apparaten Formules
Excess Carrier Concentration is een extra elektron dat aanwezig is in de carrierconcentratie. En wordt aangegeven met δ
n
. Overmatige dragerconcentratie wordt gewoonlijk gemeten met de 1 per kubieke meter voor Drager Concentratie. Houd er rekening mee dat de waarde van Overmatige dragerconcentratie altijd positief is.
Formules om Overmatige dragerconcentratie te vinden in Solid State-apparaten
f
x
Overmatige dragerconcentratie
Gan
Solid State-apparaten-formules die gebruik maken van Overmatige dragerconcentratie
f
x
Constante elektronenconcentratie
Gan
f
x
Optische generatiesnelheid
Gan
Lijst met variabelen in formules van Solid State-apparaten
f
x
Optische generatiesnelheid
Gan
f
x
Levensduur recombinatie
Gan
FAQ
Wat is de Overmatige dragerconcentratie?
Excess Carrier Concentration is een extra elektron dat aanwezig is in de carrierconcentratie. Overmatige dragerconcentratie wordt gewoonlijk gemeten met de 1 per kubieke meter voor Drager Concentratie. Houd er rekening mee dat de waarde van Overmatige dragerconcentratie altijd positief is.
Kan de Overmatige dragerconcentratie negatief zijn?
Nee, de Overmatige dragerconcentratie, gemeten in Drager Concentratie kan niet moet negatief zijn.
Welke eenheid wordt gebruikt om Overmatige dragerconcentratie te meten?
Overmatige dragerconcentratie wordt meestal gemeten met de 1 per kubieke meter[1/m³] voor Drager Concentratie. 1 per kubieke centimeter[1/m³], per liter[1/m³] zijn de weinige andere eenheden waarin Overmatige dragerconcentratie kan worden gemeten.
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!