Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal in MOSFET Formules

De mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van een kanaal verwijst naar het vermogen van elektronen om door het oppervlak van een halfgeleidermateriaal te bewegen of te reizen, zoals een siliciumkanaal in een transistor. En wordt aangegeven met μ_s. Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal wordt gewoonlijk gemeten met de Vierkante meter per volt per seconde voor Mobiliteit. Houd er rekening mee dat de waarde van Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal altijd positief is.