Ladingspenetratie N-type verwijst naar het fenomeen waarbij extra elektronen van doteringsatomen, meestal fosfor of arseen, het kristalrooster van het halfgeleidermateriaal binnendringen. En wordt aangegeven met xno. Ladingspenetratie N-type wordt gewoonlijk gemeten met de Micrometer voor Lengte. Houd er rekening mee dat de waarde van Ladingspenetratie N-type altijd positief is.