Kritisch elektrisch veld in CMOS-ontwerp en toepassingen Formules

Kritisch elektrisch veld wordt gedefinieerd als de elektrische kracht per ladingseenheid. En wordt aangegeven met E_c. Kritisch elektrisch veld wordt gewoonlijk gemeten met de Volt per millimeter voor Elektrische veldsterkte. Houd er rekening mee dat de waarde van Kritisch elektrisch veld altijd positief is.

Formules om Kritisch elektrisch veld te vinden in CMOS-ontwerp en toepassingen

fxKritisch elektrisch veldGan

CMOS-ontwerp en toepassingen-formules die gebruik maken van Kritisch elektrisch veld

fxCMOS kritische spanningGan

fxCMOS betekent vrij padGan

Lijst met variabelen in formules van CMOS-ontwerp en toepassingen

fx Snelheidsverzadiging Gan

fx Mobiliteit van elektronen Gan

FAQ

Wat is de Kritisch elektrisch veld?

Kritisch elektrisch veld wordt gedefinieerd als de elektrische kracht per ladingseenheid. Kritisch elektrisch veld wordt gewoonlijk gemeten met de Volt per millimeter voor Elektrische veldsterkte. Houd er rekening mee dat de waarde van Kritisch elektrisch veld altijd positief is.

Kan de Kritisch elektrisch veld negatief zijn?

Nee, de Kritisch elektrisch veld, gemeten in Elektrische veldsterkte kan niet moet negatief zijn.

Welke eenheid wordt gebruikt om Kritisch elektrisch veld te meten?

Kritisch elektrisch veld wordt meestal gemeten met de Volt per millimeter[V/mm] voor Elektrische veldsterkte. Volt per meter[V/mm], Kilovolt per meter[V/mm], Millivolt per meter[V/mm] zijn de weinige andere eenheden waarin Kritisch elektrisch veld kan worden gemeten.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!