Kritieke vertraging bij Gates in CMOS-ontwerp en toepassingen Formules

Kritieke vertraging in poorten verwijst naar de maximale vertraging die kan optreden in een poort of een combinatie van poorten binnen een circuit. En wordt aangegeven met T_gd. Kritieke vertraging bij Gates wordt gewoonlijk gemeten met de nanoseconde voor Tijd. Houd er rekening mee dat de waarde van Kritieke vertraging bij Gates altijd positief is.

Formules om Kritieke vertraging bij Gates te vinden in CMOS-ontwerp en toepassingen

fxKritieke vertraging bij GatesGan

Lijst met variabelen in formules van CMOS-ontwerp en toepassingen

fx Voortplantingsvertraging Gan

fx N-ingang EN-poort Gan

fx K-ingang EN-poort Gan

fx EN-OF Poortvertraging Gan

fx Multiplexer vertraging Gan

FAQ

Wat is de Kritieke vertraging bij Gates?

Kritieke vertraging in poorten verwijst naar de maximale vertraging die kan optreden in een poort of een combinatie van poorten binnen een circuit. Kritieke vertraging bij Gates wordt gewoonlijk gemeten met de nanoseconde voor Tijd. Houd er rekening mee dat de waarde van Kritieke vertraging bij Gates altijd positief is.

Kan de Kritieke vertraging bij Gates negatief zijn?

Nee, de Kritieke vertraging bij Gates, gemeten in Tijd kan niet moet negatief zijn.

Welke eenheid wordt gebruikt om Kritieke vertraging bij Gates te meten?

Kritieke vertraging bij Gates wordt meestal gemeten met de nanoseconde[ns] voor Tijd. Seconde[ns], milliseconde[ns], Microseconde[ns] zijn de weinige andere eenheden waarin Kritieke vertraging bij Gates kan worden gemeten.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!