Intrinsieke dragerconcentratie in Solid State-apparaten Formules

Intrinsieke draaggolfconcentratie wordt gebruikt om de concentratie van ladingsdragers (elektronen en gaten) in een intrinsiek of ongedoteerd halfgeleidermateriaal bij thermisch evenwicht te beschrijven. En wordt aangegeven met n_i. Intrinsieke dragerconcentratie wordt gewoonlijk gemeten met de 1 per kubieke meter voor Drager Concentratie. Houd er rekening mee dat de waarde van Intrinsieke dragerconcentratie altijd positief is.

Formules om Intrinsieke dragerconcentratie te vinden in Solid State-apparaten

fxIntrinsieke dragerconcentratieGan

Solid State-apparaten-formules die gebruik maken van Intrinsieke dragerconcentratie

fxNetto veranderingssnelheid in geleidingsbandGan

fxThermische generatiesnelheidGan

Lijst met variabelen in formules van Solid State-apparaten

fx Effectieve staatsdichtheid in valentieband Gan

fx Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband Gan

fx Energie kloof Gan

fx Temperatuur Gan

FAQ

Wat is de Intrinsieke dragerconcentratie?

Intrinsieke draaggolfconcentratie wordt gebruikt om de concentratie van ladingsdragers (elektronen en gaten) in een intrinsiek of ongedoteerd halfgeleidermateriaal bij thermisch evenwicht te beschrijven. Intrinsieke dragerconcentratie wordt gewoonlijk gemeten met de 1 per kubieke meter voor Drager Concentratie. Houd er rekening mee dat de waarde van Intrinsieke dragerconcentratie altijd positief is.

Kan de Intrinsieke dragerconcentratie negatief zijn?

Nee, de Intrinsieke dragerconcentratie, gemeten in Drager Concentratie kan niet moet negatief zijn.

Welke eenheid wordt gebruikt om Intrinsieke dragerconcentratie te meten?

Intrinsieke dragerconcentratie wordt meestal gemeten met de 1 per kubieke meter[1/m³] voor Drager Concentratie. 1 per kubieke centimeter[1/m³], per liter[1/m³] zijn de weinige andere eenheden waarin Intrinsieke dragerconcentratie kan worden gemeten.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!