Intrinsieke dragerconcentratie in MOSFET Formules

Intrinsieke dragerconcentratie is een fundamentele eigenschap van halfgeleidermateriaal en vertegenwoordigt de concentratie van thermisch gegenereerde ladingsdragers bij afwezigheid van externe invloeden. En wordt aangegeven met n_i. Intrinsieke dragerconcentratie wordt gewoonlijk gemeten met de Elektronen per kubieke meter voor Elektronendichtheid. Houd er rekening mee dat de waarde van Intrinsieke dragerconcentratie altijd positief is.

MOSFET-formules die gebruik maken van Intrinsieke dragerconcentratie

fxFermi-potentieel voor P-typeGan

fxFermi-potentieel voor N-typeGan

FAQ

Wat is de Intrinsieke dragerconcentratie?

Intrinsieke dragerconcentratie is een fundamentele eigenschap van halfgeleidermateriaal en vertegenwoordigt de concentratie van thermisch gegenereerde ladingsdragers bij afwezigheid van externe invloeden. Intrinsieke dragerconcentratie wordt gewoonlijk gemeten met de Elektronen per kubieke meter voor Elektronendichtheid. Houd er rekening mee dat de waarde van Intrinsieke dragerconcentratie altijd positief is.

Kan de Intrinsieke dragerconcentratie negatief zijn?

Nee, de Intrinsieke dragerconcentratie, gemeten in Elektronendichtheid kan niet moet negatief zijn.

Welke eenheid wordt gebruikt om Intrinsieke dragerconcentratie te meten?

Intrinsieke dragerconcentratie wordt meestal gemeten met de Elektronen per kubieke meter[electrons/m³] voor Elektronendichtheid. Elektronen per kubieke centimeter[electrons/m³] zijn de weinige andere eenheden waarin Intrinsieke dragerconcentratie kan worden gemeten.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!