Intrinsieke concentratie in VLSI-fabricage Formules

Intrinsieke concentratie verwijst naar de concentratie van ladingsdragers (elektronen en gaten) in een intrinsieke halfgeleider bij thermisch evenwicht. En wordt aangegeven met N_i. Intrinsieke concentratie wordt gewoonlijk gemeten met de 1 per kubieke centimeter voor Drager Concentratie. Houd er rekening mee dat de waarde van Intrinsieke concentratie altijd positief is.

VLSI-fabricage-formules die gebruik maken van Intrinsieke concentratie

fxOppervlakte PotentieelGan

fxVerbinding Ingebouwde spanning VLSIGan

fxPotentieel tussen Bron en LichaamGan

FAQ

Wat is de Intrinsieke concentratie?

Intrinsieke concentratie verwijst naar de concentratie van ladingsdragers (elektronen en gaten) in een intrinsieke halfgeleider bij thermisch evenwicht. Intrinsieke concentratie wordt gewoonlijk gemeten met de 1 per kubieke centimeter voor Drager Concentratie. Houd er rekening mee dat de waarde van Intrinsieke concentratie altijd positief is.

Kan de Intrinsieke concentratie negatief zijn?

Nee, de Intrinsieke concentratie, gemeten in Drager Concentratie kan niet moet negatief zijn.

Welke eenheid wordt gebruikt om Intrinsieke concentratie te meten?

Intrinsieke concentratie wordt meestal gemeten met de 1 per kubieke centimeter[1/cm³] voor Drager Concentratie. 1 per kubieke meter[1/cm³], per liter[1/cm³] zijn de weinige andere eenheden waarin Intrinsieke concentratie kan worden gemeten.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!