Hole Doping Siliciummobiliteit in Geïntegreerde schakelingen (IC) Formules

Gatendoping Siliciummobiliteit is het vermogen van een gat om zich door een metaal of halfgeleider te verplaatsen in aanwezigheid van een aangelegd elektrisch veld. En wordt aangegeven met μ_p. Hole Doping Siliciummobiliteit wordt gewoonlijk gemeten met de Vierkante centimeter per volt seconde voor Mobiliteit. Houd er rekening mee dat de waarde van Hole Doping Siliciummobiliteit altijd positief is.

Geïntegreerde schakelingen (IC)-formules die gebruik maken van Hole Doping Siliciummobiliteit

fxOhmse geleidbaarheid van onzuiverheidGan

fxGeleidbaarheid van N-typeGan

fxGeleidbaarheid van P-typeGan

FAQ

Wat is de Hole Doping Siliciummobiliteit?

Gatendoping Siliciummobiliteit is het vermogen van een gat om zich door een metaal of halfgeleider te verplaatsen in aanwezigheid van een aangelegd elektrisch veld. Hole Doping Siliciummobiliteit wordt gewoonlijk gemeten met de Vierkante centimeter per volt seconde voor Mobiliteit. Houd er rekening mee dat de waarde van Hole Doping Siliciummobiliteit altijd positief is.

Kan de Hole Doping Siliciummobiliteit negatief zijn?

Nee, de Hole Doping Siliciummobiliteit, gemeten in Mobiliteit kan niet moet negatief zijn.

Welke eenheid wordt gebruikt om Hole Doping Siliciummobiliteit te meten?

Hole Doping Siliciummobiliteit wordt meestal gemeten met de Vierkante centimeter per volt seconde[cm²/V*s] voor Mobiliteit. Vierkante meter per volt per seconde[cm²/V*s] zijn de weinige andere eenheden waarin Hole Doping Siliciummobiliteit kan worden gemeten.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!