Gate-drain-capaciteit in MOSFET Formules

Gate-drain-capaciteit is een parasitaire capaciteit die bestaat tussen de gate- en drain-elektroden van een veldeffecttransistor (FET). En wordt aangegeven met C_gd. Gate-drain-capaciteit wordt gewoonlijk gemeten met de Microfarad voor Capaciteit. Houd er rekening mee dat de waarde van Gate-drain-capaciteit altijd positief is.

MOSFET-formules die gebruik maken van Gate-drain-capaciteit

fxPositieve spanning gegeven apparaatparameter in MOSFETGan

fxSpanning over poort en bron van MOSFET gegeven ingangsstroomGan

fxOvergangsfrequentie van MOSFETGan

fxMiller-capaciteit van MosfetGan

fxUitgang Miller-capaciteit MosfetGan

FAQ

Wat is de Gate-drain-capaciteit?

Gate-drain-capaciteit is een parasitaire capaciteit die bestaat tussen de gate- en drain-elektroden van een veldeffecttransistor (FET). Gate-drain-capaciteit wordt gewoonlijk gemeten met de Microfarad voor Capaciteit. Houd er rekening mee dat de waarde van Gate-drain-capaciteit altijd positief is.

Kan de Gate-drain-capaciteit negatief zijn?

Nee, de Gate-drain-capaciteit, gemeten in Capaciteit kan niet moet negatief zijn.

Welke eenheid wordt gebruikt om Gate-drain-capaciteit te meten?

Gate-drain-capaciteit wordt meestal gemeten met de Microfarad[μF] voor Capaciteit. Farad[μF], Kilofarad[μF], Millifarad[μF] zijn de weinige andere eenheden waarin Gate-drain-capaciteit kan worden gemeten.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!