FormulaDen.com
Fysica
Chemie
Wiskunde
Chemische technologie
Civiel
Elektrisch
Elektronica
Elektronica en instrumentatie
Materiaal kunde
Mechanisch
Productie Engineering
Financieel
Gezondheid
Je bent hier
-
Thuis
»
Engineering
»
Elektronica
»
Magnetron theorie
Gate-broncapaciteit in Microgolf-halfgeleiders Formules
Gate Source Capacitance verwijst naar de capaciteit tussen de gate- en source-aansluitingen van een veldeffecttransistor (FET). En wordt aangegeven met C
gs
. Gate-broncapaciteit wordt gewoonlijk gemeten met de Microfarad voor Capaciteit. Houd er rekening mee dat de waarde van Gate-broncapaciteit altijd positief is.
Microgolf-halfgeleiders-formules die gebruik maken van Gate-broncapaciteit
f
x
MESFET-afsnijfrequentie
Gan
f
x
Ruisfactor GaAs MESFET
Gan
FAQ
Wat is de Gate-broncapaciteit?
Gate Source Capacitance verwijst naar de capaciteit tussen de gate- en source-aansluitingen van een veldeffecttransistor (FET). Gate-broncapaciteit wordt gewoonlijk gemeten met de Microfarad voor Capaciteit. Houd er rekening mee dat de waarde van Gate-broncapaciteit altijd positief is.
Kan de Gate-broncapaciteit negatief zijn?
Nee, de Gate-broncapaciteit, gemeten in Capaciteit kan niet moet negatief zijn.
Welke eenheid wordt gebruikt om Gate-broncapaciteit te meten?
Gate-broncapaciteit wordt meestal gemeten met de Microfarad[μF] voor Capaciteit. Farad[μF], Kilofarad[μF], Millifarad[μF] zijn de weinige andere eenheden waarin Gate-broncapaciteit kan worden gemeten.
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!