FormulaDen.com
Fysica
Chemie
Wiskunde
Chemische technologie
Civiel
Elektrisch
Elektronica
Elektronica en instrumentatie
Materiaal kunde
Mechanisch
Productie Engineering
Financieel
Gezondheid
Je bent hier
-
Thuis
»
Engineering
»
Elektronica
»
Analoge elektronica
Fabricageprocesparameter in MOSFET Formules
De fabricageprocesparameter is het proces dat begint met de oxidatie van siliciumsubstraat waarbij een relatief dikke oxidelaag op het oppervlak wordt afgezet. En wordt aangegeven met γ.
Formules om Fabricageprocesparameter te vinden in MOSFET
f
x
Fabricageprocesparameter van NMOS
Gan
MOSFET-formules die gebruik maken van Fabricageprocesparameter
f
x
Lichaamseffect in NMOS
Gan
Lijst met variabelen in formules van MOSFET
f
x
Dopingconcentratie van P-substraat
Gan
f
x
Oxide capaciteit
Gan
FAQ
Wat is de Fabricageprocesparameter?
De fabricageprocesparameter is het proces dat begint met de oxidatie van siliciumsubstraat waarbij een relatief dikke oxidelaag op het oppervlak wordt afgezet.
Kan de Fabricageprocesparameter negatief zijn?
{YesorNo}, de Fabricageprocesparameter, gemeten in {OutputVariableMeasurementName} {CanorCannot} moet negatief zijn.
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!