Elektronendoping Siliciummobiliteit in Geïntegreerde schakelingen (IC) Formules

Elektronendoping Siliciummobiliteit karakteriseert hoe snel een elektron door een metaal of halfgeleider kan bewegen wanneer het door een elektrisch veld wordt getrokken. En wordt aangegeven met μ_n. Elektronendoping Siliciummobiliteit wordt gewoonlijk gemeten met de Vierkante centimeter per volt seconde voor Mobiliteit. Houd er rekening mee dat de waarde van Elektronendoping Siliciummobiliteit altijd positief is.

Geïntegreerde schakelingen (IC)-formules die gebruik maken van Elektronendoping Siliciummobiliteit

fxOhmse geleidbaarheid van onzuiverheidGan

fxGeleidbaarheid van N-typeGan

fxGeleidbaarheid van P-typeGan

fxVelweerstand van laagGan

FAQ

Wat is de Elektronendoping Siliciummobiliteit?

Elektronendoping Siliciummobiliteit karakteriseert hoe snel een elektron door een metaal of halfgeleider kan bewegen wanneer het door een elektrisch veld wordt getrokken. Elektronendoping Siliciummobiliteit wordt gewoonlijk gemeten met de Vierkante centimeter per volt seconde voor Mobiliteit. Houd er rekening mee dat de waarde van Elektronendoping Siliciummobiliteit altijd positief is.

Kan de Elektronendoping Siliciummobiliteit negatief zijn?

Nee, de Elektronendoping Siliciummobiliteit, gemeten in Mobiliteit kan niet moet negatief zijn.

Welke eenheid wordt gebruikt om Elektronendoping Siliciummobiliteit te meten?

Elektronendoping Siliciummobiliteit wordt meestal gemeten met de Vierkante centimeter per volt seconde[cm²/V*s] voor Mobiliteit. Vierkante meter per volt per seconde[cm²/V*s] zijn de weinige andere eenheden waarin Elektronendoping Siliciummobiliteit kan worden gemeten.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!