Driftweerstand (IGBT) in Geavanceerde transistorapparaten Formules

Driftweerstand (IGBT) is het N-driftgebied van het halfgeleidermateriaal in het apparaat. Het N-driftgebied is een dik gedoteerd silicium dat de collector scheidt van het P-basisgebied. En wordt aangegeven met R_d(igbt). Driftweerstand (IGBT) wordt gewoonlijk gemeten met de Kilohm voor Elektrische Weerstand. Houd er rekening mee dat de waarde van Driftweerstand (IGBT) altijd positief is.

Geavanceerde transistorapparaten-formules die gebruik maken van Driftweerstand (IGBT)

fxSpanningsdaling in IGBT in AAN-statusGan

FAQ

Wat is de Driftweerstand (IGBT)?

Driftweerstand (IGBT) is het N-driftgebied van het halfgeleidermateriaal in het apparaat. Het N-driftgebied is een dik gedoteerd silicium dat de collector scheidt van het P-basisgebied. Driftweerstand (IGBT) wordt gewoonlijk gemeten met de Kilohm voor Elektrische Weerstand. Houd er rekening mee dat de waarde van Driftweerstand (IGBT) altijd positief is.

Kan de Driftweerstand (IGBT) negatief zijn?

Nee, de Driftweerstand (IGBT), gemeten in Elektrische Weerstand kan niet moet negatief zijn.

Welke eenheid wordt gebruikt om Driftweerstand (IGBT) te meten?

Driftweerstand (IGBT) wordt meestal gemeten met de Kilohm[kΩ] voor Elektrische Weerstand. Ohm[kΩ], Megohm[kΩ], Microhm[kΩ] zijn de weinige andere eenheden waarin Driftweerstand (IGBT) kan worden gemeten.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!