Driftsnelheid van inversie in MOSFET Formules

De driftsnelheid van de inversielaag in een MOSFET is de gemiddelde snelheid van de elektronen waaruit de inversielaag bestaat terwijl ze door het materiaal bewegen onder invloed van een elektrisch veld. En wordt aangegeven met V_y. Driftsnelheid van inversie wordt gewoonlijk gemeten met de Centimeter per seconde voor Snelheid. Houd er rekening mee dat de waarde van Driftsnelheid van inversie altijd negatief is.

Formules om Driftsnelheid van inversie te vinden in MOSFET

fxStroom in inversiekanaal van PMOS gegeven mobiliteitGan

MOSFET-formules die gebruik maken van Driftsnelheid van inversie

fxStroom in inversiekanaal van PMOSGan

Lijst met variabelen in formules van MOSFET

fx Mobiliteit van gaten in kanaal Gan

fx Horizontale component van elektrisch veld in kanaal Gan

FAQ

Wat is de Driftsnelheid van inversie?

De driftsnelheid van de inversielaag in een MOSFET is de gemiddelde snelheid van de elektronen waaruit de inversielaag bestaat terwijl ze door het materiaal bewegen onder invloed van een elektrisch veld. Driftsnelheid van inversie wordt gewoonlijk gemeten met de Centimeter per seconde voor Snelheid. Houd er rekening mee dat de waarde van Driftsnelheid van inversie altijd negatief is.

Kan de Driftsnelheid van inversie negatief zijn?

Ja, de Driftsnelheid van inversie, gemeten in Snelheid kan moet negatief zijn.

Welke eenheid wordt gebruikt om Driftsnelheid van inversie te meten?

Driftsnelheid van inversie wordt meestal gemeten met de Centimeter per seconde[cm/s] voor Snelheid. Meter per seconde[cm/s], Meter per minuut[cm/s], Meter per uur[cm/s] zijn de weinige andere eenheden waarin Driftsnelheid van inversie kan worden gemeten.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!