Dopingdichtheid van de zijwand in Versterkers Formules

Dopingdichtheid van de zijwand verwijst naar de concentratie van doteringsatomen langs de zijwanden van de transistorstructuur. En wordt aangegeven met N_A(sw). Dopingdichtheid van de zijwand wordt gewoonlijk gemeten met de Elektronen per kubieke meter voor Elektronendichtheid. Houd er rekening mee dat de waarde van Dopingdichtheid van de zijwand altijd positief is.