FormulaDen.com
Fysica
Chemie
Wiskunde
Chemische technologie
Civiel
Elektrisch
Elektronica
Elektronica en instrumentatie
Materiaal kunde
Mechanisch
Productie Engineering
Financieel
Gezondheid
Je bent hier
-
Thuis
»
Engineering
»
Elektronica
»
Magnetron theorie
Dopingdichtheid in Magnetronbuizen en -circuits Formules
Dopingdichtheid verwijst naar de concentratie van doteringsatomen in een halfgeleidermateriaal. Doteermiddelen zijn onzuiverheidsatomen die opzettelijk in de halfgeleider worden geïntroduceerd. En wordt aangegeven met N
d
. Dopingdichtheid wordt gewoonlijk gemeten met de 1 per kubieke centimeter voor Drager Concentratie. Houd er rekening mee dat de waarde van Dopingdichtheid altijd positief is.
Magnetronbuizen en -circuits-formules die gebruik maken van Dopingdichtheid
f
x
Breedte van de uitputtingszone
Gan
FAQ
Wat is de Dopingdichtheid?
Dopingdichtheid verwijst naar de concentratie van doteringsatomen in een halfgeleidermateriaal. Doteermiddelen zijn onzuiverheidsatomen die opzettelijk in de halfgeleider worden geïntroduceerd. Dopingdichtheid wordt gewoonlijk gemeten met de 1 per kubieke centimeter voor Drager Concentratie. Houd er rekening mee dat de waarde van Dopingdichtheid altijd positief is.
Kan de Dopingdichtheid negatief zijn?
Nee, de Dopingdichtheid, gemeten in Drager Concentratie kan niet moet negatief zijn.
Welke eenheid wordt gebruikt om Dopingdichtheid te meten?
Dopingdichtheid wordt meestal gemeten met de 1 per kubieke centimeter[1/cm³] voor Drager Concentratie. 1 per kubieke meter[1/cm³], per liter[1/cm³] zijn de weinige andere eenheden waarin Dopingdichtheid kan worden gemeten.
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!