Dopingconcentratie van P-substraat in MOSFET Formules

De doteringsconcentratie van P-substraat is het aantal onzuiverheden dat aan het substraat is toegevoegd. Het is de totale concentratie van acceptorionen. En wordt aangegeven met N_P. Dopingconcentratie van P-substraat wordt gewoonlijk gemeten met de 1 per kubieke centimeter voor Drager Concentratie. Houd er rekening mee dat de waarde van Dopingconcentratie van P-substraat altijd negatief is.

MOSFET-formules die gebruik maken van Dopingconcentratie van P-substraat

fxFabricageprocesparameter van NMOSGan

FAQ

Wat is de Dopingconcentratie van P-substraat?

De doteringsconcentratie van P-substraat is het aantal onzuiverheden dat aan het substraat is toegevoegd. Het is de totale concentratie van acceptorionen. Dopingconcentratie van P-substraat wordt gewoonlijk gemeten met de 1 per kubieke centimeter voor Drager Concentratie. Houd er rekening mee dat de waarde van Dopingconcentratie van P-substraat altijd negatief is.

Kan de Dopingconcentratie van P-substraat negatief zijn?

Ja, de Dopingconcentratie van P-substraat, gemeten in Drager Concentratie kan moet negatief zijn.

Welke eenheid wordt gebruikt om Dopingconcentratie van P-substraat te meten?

Dopingconcentratie van P-substraat wordt meestal gemeten met de 1 per kubieke centimeter[1/cm³] voor Drager Concentratie. 1 per kubieke meter[1/cm³], per liter[1/cm³] zijn de weinige andere eenheden waarin Dopingconcentratie van P-substraat kan worden gemeten.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!