Dopingconcentratie van acceptor in MOSFET Formules

Dopingconcentratie van acceptor verwijst naar de concentratie van acceptoratomen die opzettelijk aan een halfgeleidermateriaal zijn toegevoegd. En wordt aangegeven met N_A. Dopingconcentratie van acceptor wordt gewoonlijk gemeten met de Elektronen per kubieke centimeter voor Elektronendichtheid. Houd er rekening mee dat de waarde van Dopingconcentratie van acceptor altijd positief is.

MOSFET-formules die gebruik maken van Dopingconcentratie van acceptor

fxFermi-potentieel voor P-typeGan

fxLadingsdichtheid van het uitputtingsgebiedGan

fxIngebouwd potentieel in de uitputtingsregioGan

fxSubstraat bias-coëfficiëntGan

fxMaximale uitputtingsdiepteGan

fxDiepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bronGan

fxDiepte van de uitputtingsregio geassocieerd met afvoerGan

FAQ

Wat is de Dopingconcentratie van acceptor?

Dopingconcentratie van acceptor verwijst naar de concentratie van acceptoratomen die opzettelijk aan een halfgeleidermateriaal zijn toegevoegd. Dopingconcentratie van acceptor wordt gewoonlijk gemeten met de Elektronen per kubieke centimeter voor Elektronendichtheid. Houd er rekening mee dat de waarde van Dopingconcentratie van acceptor altijd positief is.

Kan de Dopingconcentratie van acceptor negatief zijn?

Nee, de Dopingconcentratie van acceptor, gemeten in Elektronendichtheid kan niet moet negatief zijn.

Welke eenheid wordt gebruikt om Dopingconcentratie van acceptor te meten?

Dopingconcentratie van acceptor wordt meestal gemeten met de Elektronen per kubieke centimeter[electrons/cm³] voor Elektronendichtheid. Elektronen per kubieke meter[electrons/cm³] zijn de weinige andere eenheden waarin Dopingconcentratie van acceptor kan worden gemeten.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!