Collectorbasis doorbraakspanning in Geïntegreerde schakelingen (IC) Formules

Collector Base Breakout Voltage is de maximale spanning tussen de collector- en basisterminals van een bipolaire junctie-transistor zonder een doorslag in de transistor te veroorzaken. En wordt aangegeven met V_cb. Collectorbasis doorbraakspanning wordt gewoonlijk gemeten met de Volt voor Elektrisch potentieel. Houd er rekening mee dat de waarde van Collectorbasis doorbraakspanning altijd positief is.

Geïntegreerde schakelingen (IC)-formules die gebruik maken van Collectorbasis doorbraakspanning

fxDoorbraakspanning van collector-emitterGan

FAQ

Wat is de Collectorbasis doorbraakspanning?

Collector Base Breakout Voltage is de maximale spanning tussen de collector- en basisterminals van een bipolaire junctie-transistor zonder een doorslag in de transistor te veroorzaken. Collectorbasis doorbraakspanning wordt gewoonlijk gemeten met de Volt voor Elektrisch potentieel. Houd er rekening mee dat de waarde van Collectorbasis doorbraakspanning altijd positief is.

Kan de Collectorbasis doorbraakspanning negatief zijn?

Nee, de Collectorbasis doorbraakspanning, gemeten in Elektrisch potentieel kan niet moet negatief zijn.

Welke eenheid wordt gebruikt om Collectorbasis doorbraakspanning te meten?

Collectorbasis doorbraakspanning wordt meestal gemeten met de Volt[V] voor Elektrisch potentieel. millivolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] zijn de weinige andere eenheden waarin Collectorbasis doorbraakspanning kan worden gemeten.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!