Collector-emitter doorbraakspanning in Geïntegreerde schakelingen (IC) Formules

Collector-emitter-doorbraakspanning is de spanning tussen de collector- en emitteraansluitingen van een bipolaire junctie-transistor zonder een doorslag in de transistor te veroorzaken. En wordt aangegeven met V_ce. Collector-emitter doorbraakspanning wordt gewoonlijk gemeten met de Volt voor Elektrisch potentieel. Houd er rekening mee dat de waarde van Collector-emitter doorbraakspanning altijd positief is.

Formules om Collector-emitter doorbraakspanning te vinden in Geïntegreerde schakelingen (IC)

fxDoorbraakspanning van collector-emitterGan

Lijst met variabelen in formules van Geïntegreerde schakelingen (IC)

fx Collectorbasis doorbraakspanning Gan

fx Huidige winst van BJT Gan

fx Wortelnummer Gan

FAQ

Wat is de Collector-emitter doorbraakspanning?

Collector-emitter-doorbraakspanning is de spanning tussen de collector- en emitteraansluitingen van een bipolaire junctie-transistor zonder een doorslag in de transistor te veroorzaken. Collector-emitter doorbraakspanning wordt gewoonlijk gemeten met de Volt voor Elektrisch potentieel. Houd er rekening mee dat de waarde van Collector-emitter doorbraakspanning altijd positief is.

Kan de Collector-emitter doorbraakspanning negatief zijn?

Nee, de Collector-emitter doorbraakspanning, gemeten in Elektrisch potentieel kan niet moet negatief zijn.

Welke eenheid wordt gebruikt om Collector-emitter doorbraakspanning te meten?

Collector-emitter doorbraakspanning wordt meestal gemeten met de Volt[V] voor Elektrisch potentieel. millivolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] zijn de weinige andere eenheden waarin Collector-emitter doorbraakspanning kan worden gemeten.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!