FormulaDen.com
Fysica
Chemie
Wiskunde
Chemische technologie
Civiel
Elektrisch
Elektronica
Elektronica en instrumentatie
Materiaal kunde
Mechanisch
Productie Engineering
Financieel
Gezondheid
Je bent hier
-
Thuis
»
Engineering
»
Elektronica
»
Analoge elektronica
Base-Emitter Junction Capaciteit in BJT Formules
Basis-emitterovergangscapaciteit is de capaciteit van de overgang die voorwaarts is voorgespannen en wordt weergegeven door een diode. En wordt aangegeven met C. Base-Emitter Junction Capaciteit wordt gewoonlijk gemeten met de Microfarad voor Capaciteit. Houd er rekening mee dat de waarde van Base-Emitter Junction Capaciteit altijd negatief is.
Formules om Base-Emitter Junction Capaciteit te vinden in BJT
f
x
Base-Emitter Junction Capaciteit
Gan
BJT-formules die gebruik maken van Base-Emitter Junction Capaciteit
f
x
Eindige ingangsspanning van BJT bij eenheidsversterkingsfrequentie gegeven complexe frequentievariabele
Gan
Lijst met variabelen in formules van BJT
f
x
Emitter-basis capaciteit
Gan
FAQ
Wat is de Base-Emitter Junction Capaciteit?
Basis-emitterovergangscapaciteit is de capaciteit van de overgang die voorwaarts is voorgespannen en wordt weergegeven door een diode. Base-Emitter Junction Capaciteit wordt gewoonlijk gemeten met de Microfarad voor Capaciteit. Houd er rekening mee dat de waarde van Base-Emitter Junction Capaciteit altijd negatief is.
Kan de Base-Emitter Junction Capaciteit negatief zijn?
Ja, de Base-Emitter Junction Capaciteit, gemeten in Capaciteit kan moet negatief zijn.
Welke eenheid wordt gebruikt om Base-Emitter Junction Capaciteit te meten?
Base-Emitter Junction Capaciteit wordt meestal gemeten met de Microfarad[μF] voor Capaciteit. Farad[μF], Kilofarad[μF], Millifarad[μF] zijn de weinige andere eenheden waarin Base-Emitter Junction Capaciteit kan worden gemeten.
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!