FormulaDen.com

भौतिकशास्त्र रसायनशास्त्र गणित रासायनिक अभियांत्रिकी दिवाणी विद्युत इलेक्ट्रॉनिक्स इलेक्ट्रॉनिक्स आणि इन्स्ट्रुमेंटेशन पदार्थ विज्ञान यांत्रिकी उत्पादन अभियांत्रिकी आर्थिक आरोग्य

मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा पहिला ड्रेन करंट सूत्र

जाओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज दिलेल्या मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा पहिला ड्रेन करंट सुत्र

Fx कॉपी करा

LaTeX कॉपी करा

ड्रेन करंट 1 हा प्रवाह आहे जो ड्रेन आणि फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (FET) च्या स्त्रोत टर्मिनल्स दरम्यान वाहतो, जो सामान्यतः इलेक्ट्रॉनिक सर्किट्समध्ये वापरला जाणारा एक प्रकारचा ट्रान्झिस्टर आहे. FAQs तपासा

I d1 = \frac{I b}{2} + \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{V id}^{2}}{4 \cdot {V ov}^{2}}}

I_d1 - ड्रेन करंट १?I_b - डीसी बायस वर्तमान?V_ov - ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज?V_id - विभेदक इनपुट सिग्नल?

मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा पहिला ड्रेन करंट उदाहरण

मूल्यांसह

युनिट्ससह

फक्त उदाहरण

मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा पहिला ड्रेन करंट समीकरण मूल्यांसह सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा पहिला ड्रेन करंट समीकरण युनिट्ससह सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा पहिला ड्रेन करंट समीकरण सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

497.2355 = \frac{985}{2} + \frac{985}{3.12} \cdot \frac{0.03}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{0.03}^{2}}{4 \cdot {3.12}^{2}}}

497.2355mA = \frac{985mA}{2} + \frac{985mA}{3.12V} \cdot \frac{0.03V}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{0.03V}^{2}}{4 \cdot {3.12V}^{2}}}

497.2355 = \frac{985}{2} + \frac{985}{3.12} \cdot \frac{0.03}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{0.03}^{2}}{4 \cdot {3.12}^{2}}}

टीप: इनपुट मूल्ये आणि युनिट्स संपादित करण्यासाठी वरील पेन्सिल ( Pencil

) चिन्ह वापरा.

गणना करा

पुनर्गणना करा

उपाय

कॉपी करा

रीसेट करा

शेअर करा

आपण येथे आहात -

मुख्यपृष्ठ » Category

अभियांत्रिकी » Category

इलेक्ट्रॉनिक्स » Category

अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » fx मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा पहिला ड्रेन करंट

मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा पहिला ड्रेन करंट उपाय

मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा पहिला ड्रेन करंट ची गणना कशी करायची यावर आमचे चरण-दर-चरण उपाय फॉलो करा?

पहिली पायरी सूत्राचा विचार करा

I d1 = \frac{I b}{2} + \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{V id}^{2}}{4 \cdot {V ov}^{2}}}

पुढचे पाऊल व्हेरिएबल्सची पर्यायी मूल्ये

∴

I d1 = \frac{985mA}{2} + \frac{985mA}{3.12V} \cdot \frac{0.03V}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{0.03V}^{2}}{4 \cdot {3.12V}^{2}}}

पुढचे पाऊल युनिट्स रूपांतरित करा

∴

I d1 = \frac{0.985A}{2} + \frac{0.985A}{3.12V} \cdot \frac{0.03V}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{0.03V}^{2}}{4 \cdot {3.12V}^{2}}}

पुढचे पाऊल मूल्यांकन करण्याची तयारी करा

∴

I d1 = \frac{0.985}{2} + \frac{0.985}{3.12} \cdot \frac{0.03}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{0.03}^{2}}{4 \cdot {3.12}^{2}}}

पुढचे पाऊल मूल्यांकन करा

∴

I d1 = 0.497235522193922A

पुढचे पाऊल आउटपुट युनिटमध्ये रूपांतरित करा

∴

I d1 = 497.235522193922mA

शेवटची पायरी गोलाकार उत्तर

∴

I d1 = 497.2355mA

मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा पहिला ड्रेन करंट सुत्र घटक

चल

कार्ये

ड्रेन करंट १

चिन्ह: I_d1

मोजमाप: विद्युतप्रवाहयुनिट: mA

नोंद: मूल्य सकारात्मक किंवा नकारात्मक असू शकते.

ड्रेन करंट १ शोधण्यासाठी सूत्रे

डीसी बायस वर्तमान

डीसी बायस करंट हा स्थिर प्रवाह आहे जो सर्किट किंवा डिव्हाइसमधून विशिष्ट ऑपरेटिंग पॉइंट किंवा बायस पॉइंट स्थापित करण्यासाठी वाहतो.

चिन्ह: I_b

मोजमाप: विद्युतप्रवाहयुनिट: mA

नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.

डीसी बायस वर्तमान शोधण्यासाठी सूत्रे

ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज

ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज हा इलेक्ट्रॉनिक्समध्ये वापरला जाणारा एक शब्द आहे आणि तो त्याच्या सामान्य ऑपरेटिंग व्होल्टेजपेक्षा जास्त असलेल्या डिव्हाइस किंवा घटकाला लागू केलेल्या व्होल्टेज पातळीचा संदर्भ देतो.

चिन्ह: V_ov

मोजमाप: विद्युत क्षमतायुनिट: V

नोंद: मूल्य सकारात्मक किंवा नकारात्मक असू शकते.

ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज शोधण्यासाठी सूत्रे

विभेदक इनपुट सिग्नल

विभेदक इनपुट सिग्नल म्हणजे विद्युत सिग्नलचा एक प्रकार ज्यामध्ये दोन स्वतंत्र व्होल्टेज सिग्नल असतात, प्रत्येक सामान्य संदर्भ बिंदूच्या संदर्भात मोजले जाते, सामान्यत: ग्राउंड म्हणतात.

चिन्ह: V_id

मोजमाप: विद्युत क्षमतायुनिट: V

नोंद: मूल्य सकारात्मक किंवा नकारात्मक असू शकते.

विभेदक इनपुट सिग्नल शोधण्यासाठी सूत्रे

sqrt

स्क्वेअर रूट फंक्शन हे एक फंक्शन आहे जे इनपुट म्हणून नॉन-ऋणात्मक संख्या घेते आणि दिलेल्या इनपुट नंबरचे वर्गमूळ परत करते.

मांडणी: sqrt(Number)

ड्रेन करंट १ शोधण्यासाठी इतर सूत्रे

जा ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज दिलेल्या मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा पहिला ड्रेन करंट

I d1 = \frac{I b}{2} + \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2}

चालू वर्गातील इतर सूत्रे

जा मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा दुसरा ड्रेन करंट

I d2 = \frac{I b}{2} - \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{(V id)}^{2}}{4 \cdot {V ov}^{2}}}

जा ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज दिलेल्या मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा प्रवाह काढून टाका

i d = (\frac{I b}{V ov}) \cdot (\frac{V id}{2})

जा ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज दिलेल्या मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा दुसरा ड्रेन करंट

I d2 = \frac{I b}{2} - \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2}

जा MOSFET च्या कॉमन-मोड नकारात वर्तमान

I t = \frac{v icm}{(\frac{1}{g m}) + (2 \cdot R out)}

अजून पहा

मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा पहिला ड्रेन करंट चे मूल्यमापन कसे करावे?

मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा पहिला ड्रेन करंट मूल्यांकनकर्ता ड्रेन करंट १, मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशन फॉर्म्युलावर MOSFET चा पहिला ड्रेन करंट सिलिकॉन चिपची वर्तमान वहन क्षमता दर्शवितो; वेगवेगळ्या उपकरणांची तुलना करताना ते मार्गदर्शक म्हणून वापरले जाऊ शकते. तथापि, रेटेड कमाल ड्रेन करंटला चिपमध्ये वाहू देऊ नये चे मूल्यमापन करण्यासाठी Drain Current 1 = डीसी बायस वर्तमान/2+डीसी बायस वर्तमान/ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज*विभेदक इनपुट सिग्नल/2*sqrt(1-विभेदक इनपुट सिग्नल^2/(4*ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज^2)) वापरतो. ड्रेन करंट १ हे I_d1 चिन्हाने दर्शविले जाते.

हा ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता वापरून मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा पहिला ड्रेन करंट चे मूल्यमापन कसे करायचे? हा ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा पहिला ड्रेन करंट साठी वापरण्यासाठी, डीसी बायस वर्तमान (I_b), ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज (V_ov) & विभेदक इनपुट सिग्नल (V_id) प्रविष्ट करा आणि गणना बटण दाबा.

FAQs वर मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा पहिला ड्रेन करंट

मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा पहिला ड्रेन करंट शोधण्याचे सूत्र काय आहे?

मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा पहिला ड्रेन करंट चे सूत्र Drain Current 1 = डीसी बायस वर्तमान/2+डीसी बायस वर्तमान/ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज*विभेदक इनपुट सिग्नल/2*sqrt(1-विभेदक इनपुट सिग्नल^2/(4*ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज^2)) म्हणून व्यक्त केले आहे. येथे एक उदाहरण आहे- 497235.5 = 0.985/2+0.985/3.12*0.03/2*sqrt(1-0.03^2/(4*3.12^2)).

मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा पहिला ड्रेन करंट ची गणना कशी करायची?

डीसी बायस वर्तमान (I_b), ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज (V_ov) & विभेदक इनपुट सिग्नल (V_id) सह आम्ही सूत्र - Drain Current 1 = डीसी बायस वर्तमान/2+डीसी बायस वर्तमान/ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज*विभेदक इनपुट सिग्नल/2*sqrt(1-विभेदक इनपुट सिग्नल^2/(4*ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज^2)) वापरून मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा पहिला ड्रेन करंट शोधू शकतो. हा फॉर्म्युला स्क्वेअर रूट फंक्शन फंक्शन देखील वापरतो.

ड्रेन करंट १ ची गणना करण्याचे इतर कोणते मार्ग आहेत?

ड्रेन करंट १-

Drain Current 1=DC Bias Current/2+DC Bias Current/Overdrive Voltage*Differential Input Signal/2

ची गणना करण्याचे वेगवेगळे मार्ग येथे आहेत

मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा पहिला ड्रेन करंट नकारात्मक असू शकते का?

होय, मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा पहिला ड्रेन करंट, विद्युतप्रवाह मध्ये मोजलेले करू शकता ऋण असू शकते.

मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा पहिला ड्रेन करंट मोजण्यासाठी कोणते एकक वापरले जाते?

मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा पहिला ड्रेन करंट हे सहसा विद्युतप्रवाह साठी मिलीअँपिअर[mA] वापरून मोजले जाते. अँपिअर[mA], मायक्रोअँपीअर[mA], सेंटीअँपियर[mA] ही काही इतर एकके आहेत ज्यात मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा पहिला ड्रेन करंट मोजता येतात.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: मूल्य
: युनिट

मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा पहिला ड्रेन करंट सूत्र

​जाओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज दिलेल्या मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा पहिला ड्रेन करंट सुत्र

मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा पहिला ड्रेन करंट उदाहरण

मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा पहिला ड्रेन करंट उपाय

मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा पहिला ड्रेन करंट सुत्र घटक

ड्रेन करंट १ शोधण्यासाठी इतर सूत्रे

चालू वर्गातील इतर सूत्रे

मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा पहिला ड्रेन करंट चे मूल्यमापन कसे करावे?

FAQs वर मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा पहिला ड्रेन करंट

Variable Name

जाओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज दिलेल्या मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा पहिला ड्रेन करंट सुत्र