FormulaDen.com

भौतिकशास्त्र रसायनशास्त्र गणित रासायनिक अभियांत्रिकी दिवाणी विद्युत इलेक्ट्रॉनिक्स इलेक्ट्रॉनिक्स आणि इन्स्ट्रुमेंटेशन पदार्थ विज्ञान यांत्रिकी उत्पादन अभियांत्रिकी आर्थिक आरोग्य

बल्क डिप्लीशन रिजन चार्ज डेन्सिटी VLSI सूत्र

Fx कॉपी करा

LaTeX कॉपी करा

सेमीकंडक्टर यंत्राच्या मोठ्या प्रमाणात कमी होणा-या क्षेत्राशी संबंधित प्रति युनिट क्षेत्र इलेक्ट्रिक चार्ज म्हणून बल्क डिप्लेशन रीजन चार्ज डेन्सिटी परिभाषित केली जाते. FAQs तपासा

Q B0 = - (1 - (\frac{ΔL s + ΔL D}{2 \cdot L})) \cdot \sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot N A \cdot | 2 \cdot Φ s |}

Q_B0 - बल्क डिप्लीशन क्षेत्र चार्ज घनता?ΔL_s - स्त्रोतासह क्षीणता क्षेत्राची बाजूकडील विस्तार?ΔL_D - नाल्यासह क्षीणता प्रदेशाचा पार्श्व विस्तार?L - चॅनेलची लांबी?N_A - स्वीकारणारा एकाग्रता?Φ_s - पृष्ठभाग संभाव्य?[Charge-e] - इलेक्ट्रॉनचा चार्ज?[Permitivity-silicon] - सिलिकॉनची परवानगी?[Permitivity-vacuum] - व्हॅक्यूमची परवानगी?

बल्क डिप्लीशन रिजन चार्ज डेन्सिटी VLSI उदाहरण

मूल्यांसह

युनिट्ससह

फक्त उदाहरण

बल्क डिप्लीशन रिजन चार्ज डेन्सिटी VLSI समीकरण मूल्यांसह सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

बल्क डिप्लीशन रिजन चार्ज डेन्सिटी VLSI समीकरण युनिट्ससह सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

बल्क डिप्लीशन रिजन चार्ज डेन्सिटी VLSI समीकरण सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

-0.2006 = - (1 - (\frac{0.1 + 0.2}{2 \cdot 2.5})) \cdot \sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12 \cdot 1E+16 \cdot | 2 \cdot 6.86 |}

-0.2006μC/cm² = - (1 - (\frac{0.1μm + 0.2μm}{2 \cdot 2.5μm})) \cdot \sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 1E+161/cm³ \cdot | 2 \cdot 6.86V |}

-0.2006 = - (1 - (\frac{0.1 + 0.2}{2 \cdot 2.5})) \cdot \sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12 \cdot 1E+16 \cdot | 2 \cdot 6.86 |}

टीप: इनपुट मूल्ये आणि युनिट्स संपादित करण्यासाठी वरील पेन्सिल ( Pencil

) चिन्ह वापरा.

गणना करा

पुनर्गणना करा

उपाय

कॉपी करा

रीसेट करा

शेअर करा

आपण येथे आहात -

मुख्यपृष्ठ » Category

अभियांत्रिकी » Category

इलेक्ट्रॉनिक्स » Category

व्हीएलएसआय फॅब्रिकेशन » fx बल्क डिप्लीशन रिजन चार्ज डेन्सिटी VLSI

बल्क डिप्लीशन रिजन चार्ज डेन्सिटी VLSI उपाय

बल्क डिप्लीशन रिजन चार्ज डेन्सिटी VLSI ची गणना कशी करायची यावर आमचे चरण-दर-चरण उपाय फॉलो करा?

पहिली पायरी सूत्राचा विचार करा

Q B0 = - (1 - (\frac{ΔL s + ΔL D}{2 \cdot L})) \cdot \sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot N A \cdot | 2 \cdot Φ s |}

पुढचे पाऊल व्हेरिएबल्सची पर्यायी मूल्ये

∴

Q B0 = - (1 - (\frac{0.1μm + 0.2μm}{2 \cdot 2.5μm})) \cdot \sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot 1E+161/cm³ \cdot | 2 \cdot 6.86V |}

पुढचे पाऊल स्थिरांकांची मूल्ये बदला

∴

Q B0 = - (1 - (\frac{0.1μm + 0.2μm}{2 \cdot 2.5μm})) \cdot \sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 1E+161/cm³ \cdot | 2 \cdot 6.86V |}

पुढचे पाऊल युनिट्स रूपांतरित करा

∴

Q B0 = - (1 - (\frac{1E-7m + 2E-7m}{2 \cdot 2.5E-6m})) \cdot \sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 1E+221/m³ \cdot | 2 \cdot 6.86V |}

पुढचे पाऊल मूल्यांकन करण्याची तयारी करा

∴

Q B0 = - (1 - (\frac{1E-7 + 2E-7}{2 \cdot 2.5E-6})) \cdot \sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12 \cdot 1E+22 \cdot | 2 \cdot 6.86 |}

पुढचे पाऊल मूल्यांकन करा

∴

Q B0 = -0.00200557851391776C/m²

पुढचे पाऊल आउटपुट युनिटमध्ये रूपांतरित करा

∴

Q B0 = -0.200557851391776μC/cm²

शेवटची पायरी गोलाकार उत्तर

∴

Q B0 = -0.2006μC/cm²

बल्क डिप्लीशन रिजन चार्ज डेन्सिटी VLSI सुत्र घटक

चल

स्थिरांक

कार्ये

बल्क डिप्लीशन क्षेत्र चार्ज घनता

सेमीकंडक्टर यंत्राच्या मोठ्या प्रमाणात कमी होणा-या क्षेत्राशी संबंधित प्रति युनिट क्षेत्र इलेक्ट्रिक चार्ज म्हणून बल्क डिप्लेशन रीजन चार्ज डेन्सिटी परिभाषित केली जाते.

चिन्ह: Q_B0

मोजमाप: पृष्ठभाग चार्ज घनतायुनिट: μC/cm²

नोंद: मूल्य सकारात्मक किंवा नकारात्मक असू शकते.

बल्क डिप्लीशन क्षेत्र चार्ज घनता शोधण्यासाठी सूत्रे

स्त्रोतासह क्षीणता क्षेत्राची बाजूकडील विस्तार

सेमीकंडक्टर यंत्रामध्ये स्त्रोत टर्मिनलपासून क्षैतिज प्रदेश ज्या ओलांडून क्षैतिज अंतर ओलांडते ते क्षैतिज अंतर स्त्रोतासह क्षय क्षेत्राचा पार्श्व विस्तार.

चिन्ह: ΔL_s

मोजमाप: लांबीयुनिट: μm