MOSFET मध्ये पॉझिटिव्ह व्होल्टेज दिलेला डिव्हाइस पॅरामीटर मूल्यांकनकर्ता इनपुट वर्तमान, MOSFET मध्ये दिलेला पॉझिटिव्ह व्होल्टेज डिव्हाइस पॅरामीटर डोपिंगसह वाढतो तर pMOS संरचनांचा उंबरठा त्याच प्रकारे डोपिंगसह कमी होतो. ऑक्साईड चार्जमुळे फ्लॅट बँड व्होल्टेजच्या फरकामुळे चार्ज पॉझिटिव्ह असल्यास आणि चार्ज ऋण असल्यास दोन्ही वक्र खाली जातील चे मूल्यमापन करण्यासाठी Input Current = गेट-स्रोत व्होल्टेज*(कोनीय वारंवारता*(स्त्रोत गेट कॅपेसिटन्स+गेट-ड्रेन कॅपेसिटन्स)) वापरतो. इनपुट वर्तमान हे Iin चिन्हाने दर्शविले जाते.
हा ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता वापरून MOSFET मध्ये पॉझिटिव्ह व्होल्टेज दिलेला डिव्हाइस पॅरामीटर चे मूल्यमापन कसे करायचे? हा ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता MOSFET मध्ये पॉझिटिव्ह व्होल्टेज दिलेला डिव्हाइस पॅरामीटर साठी वापरण्यासाठी, गेट-स्रोत व्होल्टेज (Vgs), कोनीय वारंवारता (ω), स्त्रोत गेट कॅपेसिटन्स (Csg) & गेट-ड्रेन कॅपेसिटन्स (Cgd) प्रविष्ट करा आणि गणना बटण दाबा.