FormulaDen.com

भौतिकशास्त्र रसायनशास्त्र गणित रासायनिक अभियांत्रिकी दिवाणी विद्युत इलेक्ट्रॉनिक्स इलेक्ट्रॉनिक्स आणि इन्स्ट्रुमेंटेशन पदार्थ विज्ञान यांत्रिकी उत्पादन अभियांत्रिकी आर्थिक आरोग्य

MOSFET ची संक्रमण वारंवारता सूत्र

Fx कॉपी करा

LaTeX कॉपी करा

संक्रमण वारंवारता ही एक संज्ञा आहे जी दर किंवा वारंवारतेचे वर्णन करते ज्यामध्ये बदल किंवा संक्रमण एका स्थितीतून दुसऱ्या स्थितीत होते. FAQs तपासा

f t = \frac{g m}{2 \cdot π \cdot (C sg + C gd)}

f_t - संक्रमण वारंवारता?g_m - Transconductance?C_sg - स्त्रोत गेट कॅपेसिटन्स?C_gd - गेट-ड्रेन कॅपेसिटन्स?π - आर्किमिडीजचा स्थिरांक?

MOSFET ची संक्रमण वारंवारता उदाहरण

मूल्यांसह

युनिट्ससह

फक्त उदाहरण

MOSFET ची संक्रमण वारंवारता समीकरण मूल्यांसह सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

MOSFET ची संक्रमण वारंवारता समीकरण युनिट्ससह सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

MOSFET ची संक्रमण वारंवारता समीकरण सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

5.2492 = \frac{0.5}{2 \cdot 3.1416 \cdot (8.16 + 7)}

5.2492Hz = \frac{0.5mS}{2 \cdot 3.1416 \cdot (8.16μF + 7μF)}

5.2492 = \frac{0.5}{2 \cdot 3.1416 \cdot (8.16 + 7)}

टीप: इनपुट मूल्ये आणि युनिट्स संपादित करण्यासाठी वरील पेन्सिल ( Pencil

) चिन्ह वापरा.

गणना करा

पुनर्गणना करा

उपाय

कॉपी करा

रीसेट करा

शेअर करा

आपण येथे आहात -

मुख्यपृष्ठ » Category

अभियांत्रिकी » Category

इलेक्ट्रॉनिक्स » Category

अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » fx MOSFET ची संक्रमण वारंवारता

MOSFET ची संक्रमण वारंवारता उपाय

MOSFET ची संक्रमण वारंवारता ची गणना कशी करायची यावर आमचे चरण-दर-चरण उपाय फॉलो करा?

पहिली पायरी सूत्राचा विचार करा

f t = \frac{g m}{2 \cdot π \cdot (C sg + C gd)}

पुढचे पाऊल व्हेरिएबल्सची पर्यायी मूल्ये

∴

f t = \frac{0.5mS}{2 \cdot π \cdot (8.16μF + 7μF)}

पुढचे पाऊल स्थिरांकांची मूल्ये बदला

∴

f t = \frac{0.5mS}{2 \cdot 3.1416 \cdot (8.16μF + 7μF)}

पुढचे पाऊल युनिट्स रूपांतरित करा

∴

f t = \frac{0.0005S}{2 \cdot 3.1416 \cdot (8.2E-6F + 7E-6F)}

पुढचे पाऊल मूल्यांकन करण्याची तयारी करा

∴

f t = \frac{0.0005}{2 \cdot 3.1416 \cdot (8.2E-6 + 7E-6)}

पुढचे पाऊल मूल्यांकन करा

∴

f t = 5.24917358482504Hz

शेवटची पायरी गोलाकार उत्तर

∴

f t = 5.2492Hz

MOSFET ची संक्रमण वारंवारता सुत्र घटक

चल

स्थिरांक

संक्रमण वारंवारता

संक्रमण वारंवारता ही एक संज्ञा आहे जी दर किंवा वारंवारतेचे वर्णन करते ज्यामध्ये बदल किंवा संक्रमण एका स्थितीतून दुसऱ्या स्थितीत होते.

चिन्ह: f_t

मोजमाप: वारंवारतायुनिट: Hz

नोंद: मूल्य 0 पेक्षा मोठे असावे.

संक्रमण वारंवारता शोधण्यासाठी सूत्रे

Transconductance

गेट-स्रोत व्होल्टेज स्थिर ठेवून इनपुट व्होल्टेजमधील बदल आणि आउटपुट करंटमधील बदलाचे गुणोत्तर म्हणून ट्रान्सकंडक्टन्सची व्याख्या केली जाते.

चिन्ह: g_m

मोजमाप: इलेक्ट्रिक कंडक्टन्सयुनिट: mS

नोंद: मूल्य सकारात्मक किंवा नकारात्मक असू शकते.

Transconductance शोधण्यासाठी सूत्रे

स्त्रोत गेट कॅपेसिटन्स

सोर्स गेट कॅपेसिटन्स हे फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (FET) मध्ये स्त्रोत आणि गेट इलेक्ट्रोड्समधील कॅपेसिटन्सचे मोजमाप आहे.

चिन्ह: C_sg

मोजमाप: क्षमतायुनिट: μF

नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.

स्त्रोत गेट कॅपेसिटन्स शोधण्यासाठी सूत्रे

गेट-ड्रेन कॅपेसिटन्स

गेट-ड्रेन कॅपेसिटन्स हा एक परजीवी कॅपेसिटन्स आहे जो फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (FET) च्या गेट आणि ड्रेन इलेक्ट्रोड दरम्यान अस्तित्वात आहे.

चिन्ह: C_gd

मोजमाप: क्षमतायुनिट: μF

नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.

गेट-ड्रेन कॅपेसिटन्स शोधण्यासाठी सूत्रे

आर्किमिडीजचा स्थिरांक

आर्किमिडीजचा स्थिरांक हा एक गणितीय स्थिरांक आहे जो वर्तुळाच्या परिघाच्या व्यासाचे गुणोत्तर दर्शवतो.

चिन्ह: π

मूल्य: 3.14159265358979323846264338327950288

अंतर्गत कॅपेसिटिव्ह प्रभाव आणि उच्च वारंवारता मॉडेल वर्गातील इतर सूत्रे

जा बायस पॉइंटवर कमाल व्होल्टेज वाढ

A vm = 2 \cdot \frac{V dd - V eff}{V eff}

जा सर्व व्होल्टेज दिलेला कमाल व्होल्टेज वाढ

A vm = \frac{V dd - 0.3}{V t}

जा ड्रेन व्होल्टेज दिलेला व्होल्टेज गेन

A v = \frac{i d \cdot R L \cdot 2}{V eff}

जा MOSFET च्या लोड रेझिस्टन्समुळे व्होल्टेज वाढणे

A v = g m \cdot \frac{\frac{1}{\frac{1}{R L} + \frac{1}{R out}}}{1 + g m \cdot R s}

अजून पहा

MOSFET ची संक्रमण वारंवारता चे मूल्यमापन कसे करावे?

MOSFET ची संक्रमण वारंवारता मूल्यांकनकर्ता संक्रमण वारंवारता, MOSFET सूत्राची संक्रमण वारंवारता ट्रान्झिस्टरच्या उच्च-फ्रिक्वेंसी ऑपरेटिंग वैशिष्ट्यांचे मोजमाप म्हणून परिभाषित केली जाते. अणूच्या हायपरफाइन संरचना ऊर्जा अवस्थांमधील संक्रमणाशी संबंधित रेडिएशनची वारंवारता चे मूल्यमापन करण्यासाठी Transition Frequency = Transconductance/(2*pi*(स्त्रोत गेट कॅपेसिटन्स+गेट-ड्रेन कॅपेसिटन्स)) वापरतो. संक्रमण वारंवारता हे f_t चिन्हाने दर्शविले जाते.

हा ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता वापरून MOSFET ची संक्रमण वारंवारता चे मूल्यमापन कसे करायचे? हा ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता MOSFET ची संक्रमण वारंवारता साठी वापरण्यासाठी, Transconductance (g_m), स्त्रोत गेट कॅपेसिटन्स (C_sg) & गेट-ड्रेन कॅपेसिटन्स (C_gd) प्रविष्ट करा आणि गणना बटण दाबा.

FAQs वर MOSFET ची संक्रमण वारंवारता

MOSFET ची संक्रमण वारंवारता शोधण्याचे सूत्र काय आहे?

MOSFET ची संक्रमण वारंवारता चे सूत्र Transition Frequency = Transconductance/(2*pi*(स्त्रोत गेट कॅपेसिटन्स+गेट-ड्रेन कॅपेसिटन्स)) म्हणून व्यक्त केले आहे. येथे एक उदाहरण आहे- 5.249174 = 0.0005/(2*pi*(8.16E-06+7E-06)).

MOSFET ची संक्रमण वारंवारता ची गणना कशी करायची?

Transconductance (g_m), स्त्रोत गेट कॅपेसिटन्स (C_sg) & गेट-ड्रेन कॅपेसिटन्स (C_gd) सह आम्ही सूत्र - Transition Frequency = Transconductance/(2*pi*(स्त्रोत गेट कॅपेसिटन्स+गेट-ड्रेन कॅपेसिटन्स)) वापरून MOSFET ची संक्रमण वारंवारता शोधू शकतो. हे सूत्र आर्किमिडीजचा स्थिरांक देखील वापरते.

MOSFET ची संक्रमण वारंवारता नकारात्मक असू शकते का?

नाही, MOSFET ची संक्रमण वारंवारता, वारंवारता मध्ये मोजलेले करू शकत नाही ऋण असू शकते.

MOSFET ची संक्रमण वारंवारता मोजण्यासाठी कोणते एकक वापरले जाते?

MOSFET ची संक्रमण वारंवारता हे सहसा वारंवारता साठी हर्ट्झ[Hz] वापरून मोजले जाते. पेटाहर्टझ[Hz], टेराहर्ट्झ[Hz], गिगाहर्ट्झ[Hz] ही काही इतर एकके आहेत ज्यात MOSFET ची संक्रमण वारंवारता मोजता येतात.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: मूल्य
: युनिट