FormulaDen.com

भौतिकशास्त्र रसायनशास्त्र गणित रासायनिक अभियांत्रिकी दिवाणी विद्युत इलेक्ट्रॉनिक्स इलेक्ट्रॉनिक्स आणि इन्स्ट्रुमेंटेशन पदार्थ विज्ञान यांत्रिकी उत्पादन अभियांत्रिकी आर्थिक आरोग्य

MOSFET चा ड्रेन सॅचुरेशन करंट सूत्र

Fx कॉपी करा

LaTeX कॉपी करा

संपृक्तता ड्रेन करंट हे डिझाइनमधील एक महत्त्वाचे पॅरामीटर आहे FAQs तपासा

I d(sat) = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot \frac{W c}{L} \cdot {(V eff)}^{2}

I_d(sat) - संपृक्तता निचरा वर्तमान?k'_p - PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स?W_c - चॅनेल रुंदी?L - चॅनेलची लांबी?V_eff - प्रभावी व्होल्टेज?

MOSFET चा ड्रेन सॅचुरेशन करंट उदाहरण

मूल्यांसह

युनिट्ससह

फक्त उदाहरण

MOSFET चा ड्रेन सॅचुरेशन करंट समीकरण मूल्यांसह सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

MOSFET चा ड्रेन सॅचुरेशन करंट समीकरण युनिट्ससह सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

MOSFET चा ड्रेन सॅचुरेशन करंट समीकरण सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

0.0838 = \frac{1}{2} \cdot 0.58 \cdot \frac{10}{100} \cdot {(1.7)}^{2}

0.0838mA = \frac{1}{2} \cdot 0.58mS \cdot \frac{10μm}{100μm} \cdot {(1.7V)}^{2}

0.0838 = \frac{1}{2} \cdot 0.58 \cdot \frac{10}{100} \cdot {(1.7)}^{2}

टीप: इनपुट मूल्ये आणि युनिट्स संपादित करण्यासाठी वरील पेन्सिल ( Pencil

) चिन्ह वापरा.

गणना करा

पुनर्गणना करा

उपाय

कॉपी करा

रीसेट करा

शेअर करा

आपण येथे आहात -

मुख्यपृष्ठ » Category

अभियांत्रिकी » Category

इलेक्ट्रॉनिक्स » Category

अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » fx MOSFET चा ड्रेन सॅचुरेशन करंट

MOSFET चा ड्रेन सॅचुरेशन करंट उपाय

MOSFET चा ड्रेन सॅचुरेशन करंट ची गणना कशी करायची यावर आमचे चरण-दर-चरण उपाय फॉलो करा?

पहिली पायरी सूत्राचा विचार करा

I d(sat) = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot \frac{W c}{L} \cdot {(V eff)}^{2}

पुढचे पाऊल व्हेरिएबल्सची पर्यायी मूल्ये

∴

I d(sat) = \frac{1}{2} \cdot 0.58mS \cdot \frac{10μm}{100μm} \cdot {(1.7V)}^{2}

पुढचे पाऊल युनिट्स रूपांतरित करा

∴

I d(sat) = \frac{1}{2} \cdot 0.0006S \cdot \frac{1E-5m}{0.0001m} \cdot {(1.7V)}^{2}

पुढचे पाऊल मूल्यांकन करण्याची तयारी करा

∴

I d(sat) = \frac{1}{2} \cdot 0.0006 \cdot \frac{1E-5}{0.0001} \cdot {(1.7)}^{2}

पुढचे पाऊल मूल्यांकन करा

∴

I d(sat) = 8.381E-05A

पुढचे पाऊल आउटपुट युनिटमध्ये रूपांतरित करा

∴

I d(sat) = 0.08381mA

शेवटची पायरी गोलाकार उत्तर

∴

I d(sat) = 0.0838mA

MOSFET चा ड्रेन सॅचुरेशन करंट सुत्र घटक

चल

संपृक्तता निचरा वर्तमान

संपृक्तता ड्रेन करंट हे डिझाइनमधील एक महत्त्वाचे पॅरामीटर आहे

चिन्ह: I_d(sat)

मोजमाप: विद्युतप्रवाहयुनिट: mA

नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.

संपृक्तता निचरा वर्तमान शोधण्यासाठी सूत्रे

PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स

पीएमओएस मधील प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स म्हणजे पीएमओएस ट्रान्झिस्टरच्या गेट-स्रोत व्होल्टेजच्या संदर्भात फायदा.

चिन्ह: k'_p

मोजमाप: इलेक्ट्रिक कंडक्टन्सयुनिट: mS

नोंद: मूल्य सकारात्मक किंवा नकारात्मक असू शकते.

PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स शोधण्यासाठी सूत्रे

चॅनेल रुंदी

चॅनेलची रुंदी वायरलेस कम्युनिकेशन चॅनेलवर डेटा प्रसारित करण्यासाठी वापरल्या जाणार्‍या फ्रिक्वेन्सीच्या श्रेणीचा संदर्भ देते. हे बँडविड्थ म्हणून देखील ओळखले जाते आणि हर्ट्झ (Hz) मध्ये मोजले जाते.

चिन्ह: W_c

मोजमाप: लांबीयुनिट: μm

नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.

चॅनेल रुंदी शोधण्यासाठी सूत्रे

चॅनेलची लांबी

चॅनेलची लांबी फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (FET) मध्ये स्त्रोत आणि ड्रेन टर्मिनल्समधील अंतर दर्शवते.

चिन्ह: L

मोजमाप: लांबीयुनिट: μm

नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.

चॅनेलची लांबी शोधण्यासाठी सूत्रे

प्रभावी व्होल्टेज

MOSFET (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर) मधील प्रभावी व्होल्टेज हे व्होल्टेज आहे जे डिव्हाइसचे वर्तन ठरवते. हे गेट-स्रोत व्होल्टेज म्हणून देखील ओळखले जाते.

चिन्ह: V_eff

मोजमाप: विद्युत क्षमतायुनिट: V

नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.

प्रभावी व्होल्टेज शोधण्यासाठी सूत्रे

चालू वर्गातील इतर सूत्रे

जा मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा पहिला ड्रेन करंट

I d1 = \frac{I b}{2} + \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{V id}^{2}}{4 \cdot {V ov}^{2}}}

जा मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा दुसरा ड्रेन करंट

I d2 = \frac{I b}{2} - \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{(V id)}^{2}}{4 \cdot {V ov}^{2}}}

जा ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज दिलेल्या मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा प्रवाह काढून टाका

i d = (\frac{I b}{V ov}) \cdot (\frac{V id}{2})

जा ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज दिलेल्या मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा पहिला ड्रेन करंट

I d1 = \frac{I b}{2} + \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2}

अजून पहा

MOSFET चा ड्रेन सॅचुरेशन करंट चे मूल्यमापन कसे करावे?

MOSFET चा ड्रेन सॅचुरेशन करंट मूल्यांकनकर्ता संपृक्तता निचरा वर्तमान, एमओएसएफईटी मधील ड्रेन संपृक्तता वर्तमान "एमओएसएफईटीएस" मधील "संतृप्ति" म्हणजे व्ही मध्ये बदल चे मूल्यमापन करण्यासाठी Saturation Drain Current = 1/2*PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स*चॅनेल रुंदी/चॅनेलची लांबी*(प्रभावी व्होल्टेज)^2 वापरतो. संपृक्तता निचरा वर्तमान हे I_d(sat) चिन्हाने दर्शविले जाते.

हा ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता वापरून MOSFET चा ड्रेन सॅचुरेशन करंट चे मूल्यमापन कसे करायचे? हा ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता MOSFET चा ड्रेन सॅचुरेशन करंट साठी वापरण्यासाठी, PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स (k'_p), चॅनेल रुंदी (W_c), चॅनेलची लांबी (L) & प्रभावी व्होल्टेज (V_eff) प्रविष्ट करा आणि गणना बटण दाबा.

FAQs वर MOSFET चा ड्रेन सॅचुरेशन करंट

MOSFET चा ड्रेन सॅचुरेशन करंट शोधण्याचे सूत्र काय आहे?

MOSFET चा ड्रेन सॅचुरेशन करंट चे सूत्र Saturation Drain Current = 1/2*PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स*चॅनेल रुंदी/चॅनेलची लांबी*(प्रभावी व्होल्टेज)^2 म्हणून व्यक्त केले आहे. येथे एक उदाहरण आहे- 83.81 = 1/2*0.00058*1E-05/0.0001*(1.7)^2.

MOSFET चा ड्रेन सॅचुरेशन करंट ची गणना कशी करायची?

PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स (k'_p), चॅनेल रुंदी (W_c), चॅनेलची लांबी (L) & प्रभावी व्होल्टेज (V_eff) सह आम्ही सूत्र - Saturation Drain Current = 1/2*PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स*चॅनेल रुंदी/चॅनेलची लांबी*(प्रभावी व्होल्टेज)^2 वापरून MOSFET चा ड्रेन सॅचुरेशन करंट शोधू शकतो.

MOSFET चा ड्रेन सॅचुरेशन करंट नकारात्मक असू शकते का?

नाही, MOSFET चा ड्रेन सॅचुरेशन करंट, विद्युतप्रवाह मध्ये मोजलेले करू शकत नाही ऋण असू शकते.

MOSFET चा ड्रेन सॅचुरेशन करंट मोजण्यासाठी कोणते एकक वापरले जाते?

MOSFET चा ड्रेन सॅचुरेशन करंट हे सहसा विद्युतप्रवाह साठी मिलीअँपिअर[mA] वापरून मोजले जाते. अँपिअर[mA], मायक्रोअँपीअर[mA], सेंटीअँपियर[mA] ही काही इतर एकके आहेत ज्यात MOSFET चा ड्रेन सॅचुरेशन करंट मोजता येतात.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: मूल्य
: युनिट

MOSFET चा ड्रेन सॅचुरेशन करंट सूत्र

MOSFET चा ड्रेन सॅचुरेशन करंट उदाहरण

MOSFET चा ड्रेन सॅचुरेशन करंट उपाय

MOSFET चा ड्रेन सॅचुरेशन करंट सुत्र घटक

चालू वर्गातील इतर सूत्रे

MOSFET चा ड्रेन सॅचुरेशन करंट चे मूल्यमापन कसे करावे?

FAQs वर MOSFET चा ड्रेन सॅचुरेशन करंट

Variable Name