FormulaDen.com

भौतिकशास्त्र रसायनशास्त्र गणित रासायनिक अभियांत्रिकी दिवाणी विद्युत इलेक्ट्रॉनिक्स इलेक्ट्रॉनिक्स आणि इन्स्ट्रुमेंटेशन पदार्थ विज्ञान यांत्रिकी उत्पादन अभियांत्रिकी आर्थिक आरोग्य

MOSFET Transconductance दिलेला ऑक्साइड कॅपेसिटन्स सूत्र

Fx कॉपी करा

LaTeX कॉपी करा

MOSFET मधील ट्रान्सकंडक्टन्स हे मुख्य पॅरामीटर आहे जे इनपुट व्होल्टेज आणि आउटपुट करंट यांच्यातील संबंधांचे वर्णन करते. FAQs तपासा

g m = \sqrt{2 \cdot μ n \cdot C ox \cdot (\frac{W t}{L t}) \cdot I d}

g_m - MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स?μ_n - इलेक्ट्रॉन गतिशीलता?C_ox - ऑक्साइड कॅपेसिटन्स?W_t - ट्रान्झिस्टरची रुंदी?L_t - ट्रान्झिस्टरची लांबी?I_d - ड्रेन करंट?

MOSFET Transconductance दिलेला ऑक्साइड कॅपेसिटन्स उदाहरण

मूल्यांसह

युनिट्ससह

फक्त उदाहरण

MOSFET Transconductance दिलेला ऑक्साइड कॅपेसिटन्स समीकरण मूल्यांसह सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

MOSFET Transconductance दिलेला ऑक्साइड कॅपेसिटन्स समीकरण युनिट्ससह सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

MOSFET Transconductance दिलेला ऑक्साइड कॅपेसिटन्स समीकरण सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

2.2866 = \sqrt{2 \cdot 30 \cdot 3.9 \cdot (\frac{5.5}{3.2}) \cdot 0.013}

2.2866S = \sqrt{2 \cdot 30m²/V*s \cdot 3.9F \cdot (\frac{5.5μm}{3.2μm}) \cdot 0.013A}

2.2866 = \sqrt{2 \cdot 30 \cdot 3.9 \cdot (\frac{5.5}{3.2}) \cdot 0.013}

टीप: इनपुट मूल्ये आणि युनिट्स संपादित करण्यासाठी वरील पेन्सिल ( Pencil

) चिन्ह वापरा.

गणना करा

पुनर्गणना करा

उपाय

कॉपी करा

रीसेट करा

शेअर करा

आपण येथे आहात -

मुख्यपृष्ठ » Category

अभियांत्रिकी » Category

इलेक्ट्रॉनिक्स » Category

अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » fx MOSFET Transconductance दिलेला ऑक्साइड कॅपेसिटन्स

MOSFET Transconductance दिलेला ऑक्साइड कॅपेसिटन्स उपाय

MOSFET Transconductance दिलेला ऑक्साइड कॅपेसिटन्स ची गणना कशी करायची यावर आमचे चरण-दर-चरण उपाय फॉलो करा?

पहिली पायरी सूत्राचा विचार करा

g m = \sqrt{2 \cdot μ n \cdot C ox \cdot (\frac{W t}{L t}) \cdot I d}

पुढचे पाऊल व्हेरिएबल्सची पर्यायी मूल्ये

∴

g m = \sqrt{2 \cdot 30m²/V*s \cdot 3.9F \cdot (\frac{5.5μm}{3.2μm}) \cdot 0.013A}

पुढचे पाऊल युनिट्स रूपांतरित करा

∴

g m = \sqrt{2 \cdot 30m²/V*s \cdot 3.9F \cdot (\frac{5.5E-6m}{3.2E-6m}) \cdot 0.013A}

पुढचे पाऊल मूल्यांकन करण्याची तयारी करा

∴

g m = \sqrt{2 \cdot 30 \cdot 3.9 \cdot (\frac{5.5E-6}{3.2E-6}) \cdot 0.013}

पुढचे पाऊल मूल्यांकन करा

∴

g m = 2.28657768291392S

शेवटची पायरी गोलाकार उत्तर

∴

g m = 2.2866S

MOSFET Transconductance दिलेला ऑक्साइड कॅपेसिटन्स सुत्र घटक

चल

कार्ये

MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स

MOSFET मधील ट्रान्सकंडक्टन्स हे मुख्य पॅरामीटर आहे जे इनपुट व्होल्टेज आणि आउटपुट करंट यांच्यातील संबंधांचे वर्णन करते.

चिन्ह: g_m

मोजमाप: इलेक्ट्रिक कंडक्टन्सयुनिट: S

नोंद: मूल्य सकारात्मक किंवा नकारात्मक असू शकते.

MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स शोधण्यासाठी सूत्रे

इलेक्ट्रॉन गतिशीलता

इलेक्ट्रॉन मोबिलिटी इलेक्ट्रिक फील्डच्या प्रतिसादात इलेक्ट्रॉन सामग्रीमधून किती वेगाने फिरू शकतात याचे वर्णन करते.

चिन्ह: μ_n

मोजमाप: गतिशीलतायुनिट: m²/V*s