FET चे गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स सूत्र

Fx कॉपी करा
LaTeX कॉपी करा
गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स FET हे FET च्या गेट आणि ड्रेन टर्मिनल्समधील कॅपेसिटन्स आहे. हे गेट आणि ड्रेन क्षेत्रांमधील ओव्हरलॅपमुळे होते. FAQs तपासा
Cgd(fet)=Tgd-off(fet)(1-Vgd(fet)Ψ0(fet))13
Cgd(fet) - गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स FET?Tgd-off(fet) - गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स ऑफ टाइम FET?Vgd(fet) - गेट टू ड्रेन व्होल्टेज FET?Ψ0(fet) - पृष्ठभाग संभाव्य FET?

FET चे गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स उदाहरण

मूल्यांसह
युनिट्ससह
फक्त उदाहरण

FET चे गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स समीकरण मूल्यांसह सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

FET चे गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स समीकरण युनिट्ससह सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

FET चे गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स समीकरण सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

6.4756Edit=6.47Edit(1-0.0128Edit4.976Edit)13
आपण येथे आहात -
HomeIcon मुख्यपृष्ठ » Category अभियांत्रिकी » Category विद्युत » Category पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स » fx FET चे गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स

FET चे गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स उपाय

FET चे गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स ची गणना कशी करायची यावर आमचे चरण-दर-चरण उपाय फॉलो करा?

पहिली पायरी सूत्राचा विचार करा
Cgd(fet)=Tgd-off(fet)(1-Vgd(fet)Ψ0(fet))13
पुढचे पाऊल व्हेरिएबल्सची पर्यायी मूल्ये
Cgd(fet)=6.47s(1-0.0128V4.976V)13
पुढचे पाऊल मूल्यांकन करण्याची तयारी करा
Cgd(fet)=6.47(1-0.01284.976)13
पुढचे पाऊल मूल्यांकन करा
Cgd(fet)=6.47555722841382F
शेवटची पायरी गोलाकार उत्तर
Cgd(fet)=6.4756F

FET चे गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स सुत्र घटक

चल
गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स FET
गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स FET हे FET च्या गेट आणि ड्रेन टर्मिनल्समधील कॅपेसिटन्स आहे. हे गेट आणि ड्रेन क्षेत्रांमधील ओव्हरलॅपमुळे होते.
चिन्ह: Cgd(fet)
मोजमाप: क्षमतायुनिट: F
नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.
गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स ऑफ टाइम FET
गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स ऑफ टाइम FET हे गेट-टू-ड्रेन कॅपेसिटन्स डिस्चार्ज होण्यासाठी कालावधी दर्शवते, इलेक्ट्रॉनिक सर्किट्समधील स्विचिंग वैशिष्ट्ये आणि पॉवर कार्यक्षमता प्रभावित करते.
चिन्ह: Tgd-off(fet)
मोजमाप: वेळयुनिट: s
नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.
गेट टू ड्रेन व्होल्टेज FET
गेट टू ड्रेन व्होल्टेज FET हा FET च्या गेट आणि ड्रेन टर्मिनल्समधील व्होल्टेज फरक आहे.
चिन्ह: Vgd(fet)
मोजमाप: विद्युत क्षमतायुनिट: V
नोंद: मूल्य सकारात्मक किंवा नकारात्मक असू शकते.
पृष्ठभाग संभाव्य FET
पृष्ठभाग संभाव्य FET अर्धसंवाहक चॅनेलच्या पृष्ठभागाच्या संभाव्यतेवर आधारित कार्य करते, उलट स्तर निर्माण न करता गेट व्होल्टेजद्वारे विद्युत् प्रवाह नियंत्रित करते.
चिन्ह: Ψ0(fet)
मोजमाप: विद्युत क्षमतायुनिट: V
नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.

FET वर्गातील इतर सूत्रे

​जा FET चा व्होल्टेज पिंच करा
Voff(fet)=Vds-off(fet)-Vds(fet)
​जा FET चा प्रवाह काढून टाका
Id(fet)=Idss(fet)(1-Vds(fet)Vcut-off(fet))2
​जा FET चे ट्रान्सकंडक्टन्स
Gm(fet)=2Idss(fet)Voff(fet)(1-Vds(fet)Voff(fet))
​जा FET चा ड्रेन सोर्स व्होल्टेज
Vds(fet)=Vdd(fet)-Id(fet)(Rd(fet)+Rs(fet))

FET चे गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स चे मूल्यमापन कसे करावे?

FET चे गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स मूल्यांकनकर्ता गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स FET, FET चे गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स म्हणजे FET च्या गेट आणि ड्रेन टर्मिनल्समधील कॅपेसिटन्स. हे गेट आणि ड्रेन क्षेत्रांमधील ओव्हरलॅपमुळे होते हे एक परजीवी कॅपेसिटन्स आहे जे FET सर्किट्सच्या कार्यक्षमतेवर परिणाम करू शकते. उच्च आउटपुट करंटसह गेट ड्रायव्हर वापरा. हे गेट कॅपेसिटन्स अधिक वेगाने चार्ज आणि डिस्चार्ज करण्यास मदत करेल. सी चे मूल्यमापन करण्यासाठी Gate Drain Capacitance FET = गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स ऑफ टाइम FET/(1-गेट टू ड्रेन व्होल्टेज FET/पृष्ठभाग संभाव्य FET)^(1/3) वापरतो. गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स FET हे Cgd(fet) चिन्हाने दर्शविले जाते.

हा ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता वापरून FET चे गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स चे मूल्यमापन कसे करायचे? हा ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता FET चे गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स साठी वापरण्यासाठी, गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स ऑफ टाइम FET (Tgd-off(fet)), गेट टू ड्रेन व्होल्टेज FET (Vgd(fet)) & पृष्ठभाग संभाव्य FET 0(fet)) प्रविष्ट करा आणि गणना बटण दाबा.

FAQs वर FET चे गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स

FET चे गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स शोधण्याचे सूत्र काय आहे?
FET चे गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स चे सूत्र Gate Drain Capacitance FET = गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स ऑफ टाइम FET/(1-गेट टू ड्रेन व्होल्टेज FET/पृष्ठभाग संभाव्य FET)^(1/3) म्हणून व्यक्त केले आहे. येथे एक उदाहरण आहे- 6.475557 = 6.47/(1-0.0128/4.976)^(1/3).
FET चे गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स ची गणना कशी करायची?
गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स ऑफ टाइम FET (Tgd-off(fet)), गेट टू ड्रेन व्होल्टेज FET (Vgd(fet)) & पृष्ठभाग संभाव्य FET 0(fet)) सह आम्ही सूत्र - Gate Drain Capacitance FET = गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स ऑफ टाइम FET/(1-गेट टू ड्रेन व्होल्टेज FET/पृष्ठभाग संभाव्य FET)^(1/3) वापरून FET चे गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स शोधू शकतो.
FET चे गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स नकारात्मक असू शकते का?
नाही, FET चे गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स, क्षमता मध्ये मोजलेले करू शकत नाही ऋण असू शकते.
FET चे गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स मोजण्यासाठी कोणते एकक वापरले जाते?
FET चे गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स हे सहसा क्षमता साठी फॅरड[F] वापरून मोजले जाते. किलोफरड[F], मिलिफरद[F], मायक्रोफरॅड[F] ही काही इतर एकके आहेत ज्यात FET चे गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स मोजता येतात.
Copied!