Transconduttanza del MESFET in Dispositivi a semiconduttore a microonde Formule

La transconduttanza del MESFET è un parametro chiave nei MESFET, che rappresenta la variazione della corrente di drain rispetto alla variazione della tensione gate-source. Ed è indicato da G_m. Transconduttanza del MESFET viene solitamente misurato utilizzando Siemens per Conduttanza elettrica. Tieni presente che il valore di Transconduttanza del MESFET è sempre positivo.

Formule per trovare Transconduttanza del MESFET in Dispositivi a semiconduttore a microonde

fxTransconduttanza nella regione di saturazione in MESFETva

Formule Dispositivi a semiconduttore a microonde che utilizzano Transconduttanza del MESFET

fxFrequenza di taglio MESFETva

fxFattore di rumore GaAs MESFETva

Elenco di variabili nelle formule Dispositivi a semiconduttore a microonde

fx Conduttanza di uscita va

fx Tensione di ingresso va

fx Soglia di voltaggio va

fx Tensione di pinch-off va

FAQ

Qual è il Transconduttanza del MESFET?

La transconduttanza del MESFET è un parametro chiave nei MESFET, che rappresenta la variazione della corrente di drain rispetto alla variazione della tensione gate-source. Transconduttanza del MESFET viene solitamente misurato utilizzando Siemens per Conduttanza elettrica. Tieni presente che il valore di Transconduttanza del MESFET è sempre positivo.

Il Transconduttanza del MESFET può essere negativo?

NO, Transconduttanza del MESFET, misurato in Conduttanza elettrica non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Transconduttanza del MESFET?

Transconduttanza del MESFET viene solitamente misurato utilizzando Siemens[S] per Conduttanza elettrica. Megasiemens[S], Millisiemens[S], Mho[S] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Transconduttanza del MESFET.

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