Tensione tra Gate e Source in MOSFET Formule

La tensione tra gate e source di un transistor ad effetto di campo (FET) è nota come tensione gate-source (VGS). È un parametro importante che influenza il funzionamento del FET. Ed è indicato da V_GS. Tensione tra Gate e Source viene solitamente misurato utilizzando Volt per Potenziale elettrico. Tieni presente che il valore di Tensione tra Gate e Source è sempre negativo.

Formule MOSFET che utilizzano Tensione tra Gate e Source

fxAssorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOSva

fxCorrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor PMOSva

fxCorrente di scarico complessiva del transistor PMOSva

fxCarica dello strato di inversione in PMOSva

fxCarica dello strato di inversione in condizione di pizzicotto in PMOSva

fxTensione di overdrive del PMOSva

FAQ

Qual è il Tensione tra Gate e Source?

La tensione tra gate e source di un transistor ad effetto di campo (FET) è nota come tensione gate-source (VGS). È un parametro importante che influenza il funzionamento del FET. Tensione tra Gate e Source viene solitamente misurato utilizzando Volt per Potenziale elettrico. Tieni presente che il valore di Tensione tra Gate e Source è sempre negativo.

Il Tensione tra Gate e Source può essere negativo?

SÌ, Tensione tra Gate e Source, misurato in Potenziale elettrico Potere può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Tensione tra Gate e Source?

Tensione tra Gate e Source viene solitamente misurato utilizzando Volt[V] per Potenziale elettrico. Millvolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Tensione tra Gate e Source.

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