Tensione tra Drain e Source in MOSFET Formule

La tensione tra drain e source è un parametro chiave nel funzionamento di un transistor ad effetto di campo (FET) ed è spesso indicata come "tensione drain-source" o VDS. Ed è indicato da V_DS. Tensione tra Drain e Source viene solitamente misurato utilizzando Volt per Potenziale elettrico. Tieni presente che il valore di Tensione tra Drain e Source è sempre negativo.

Formule MOSFET che utilizzano Tensione tra Drain e Source

fxAssorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOSva

fxAssorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS dato Vsdva

fxCorrente di scarico complessiva del transistor PMOSva

fxCarica dello strato di inversione in condizione di pizzicotto in PMOSva

FAQ

Qual è il Tensione tra Drain e Source?

La tensione tra drain e source è un parametro chiave nel funzionamento di un transistor ad effetto di campo (FET) ed è spesso indicata come "tensione drain-source" o VDS. Tensione tra Drain e Source viene solitamente misurato utilizzando Volt per Potenziale elettrico. Tieni presente che il valore di Tensione tra Drain e Source è sempre negativo.

Il Tensione tra Drain e Source può essere negativo?

SÌ, Tensione tra Drain e Source, misurato in Potenziale elettrico Potere può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Tensione tra Drain e Source?

Tensione tra Drain e Source viene solitamente misurato utilizzando Volt[V] per Potenziale elettrico. Millvolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Tensione tra Drain e Source.

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