Spessore dell'ossido di gate dopo la scalatura completa in Fabbricazione VLSI Formule

Lo spessore dell’ossido di gate dopo il ridimensionamento completo è definito come il nuovo spessore dello strato di ossido dopo aver ridotto le dimensioni del transistor mantenendo il campo elettrico costante. Ed è indicato da t_ox'. Spessore dell'ossido di gate dopo la scalatura completa viene solitamente misurato utilizzando Nanometro per Lunghezza. Tieni presente che il valore di Spessore dell'ossido di gate dopo la scalatura completa è sempre positivo.