Resistenza allo scarico in MOSFET Formule

La Resistenza di Drain è definita come la resistenza che si oppone al flusso di corrente attraverso il drain del transistor. Ed è indicato da R_d. Resistenza allo scarico viene solitamente misurato utilizzando Ohm per Resistenza elettrica. Tieni presente che il valore di Resistenza allo scarico è sempre positivo.

Formule MOSFET che utilizzano Resistenza allo scarico

fxTensione di uscita del canale P per piccoli segnaliva

fxGuadagno di tensione per piccoli segnali rispetto alla resistenza di drenaggiova

fxGuadagno di tensione per piccoli segnaliva

fxCorrente di uscita del segnale piccolova

FAQ

Qual è il Resistenza allo scarico?

La Resistenza di Drain è definita come la resistenza che si oppone al flusso di corrente attraverso il drain del transistor. Resistenza allo scarico viene solitamente misurato utilizzando Ohm per Resistenza elettrica. Tieni presente che il valore di Resistenza allo scarico è sempre positivo.

Il Resistenza allo scarico può essere negativo?

NO, Resistenza allo scarico, misurato in Resistenza elettrica non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Resistenza allo scarico?

Resistenza allo scarico viene solitamente misurato utilizzando Ohm[Ω] per Resistenza elettrica. Megahm[Ω], Microhm[Ω], Volt per Ampere[Ω] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Resistenza allo scarico.

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