Resistenza allo scarico in MOSFET Formule

La resistenza di drain è la resistenza vista osservando il terminale di drain di un FET quando viene applicata una tensione al gate. È un parametro importante che influisce sulle prestazioni dei circuiti FET. Ed è indicato da R_d. Resistenza allo scarico viene solitamente misurato utilizzando Kilohm per Resistenza elettrica. Tieni presente che il valore di Resistenza allo scarico è sempre negativo.

Formule MOSFET che utilizzano Resistenza allo scarico

fxRapporto di reiezione di modo comune del MOSFET data la resistenzava

fxSegnale di modo comune del MOSFET data la tensione di uscita al Drain Q2va

FAQ

Qual è il Resistenza allo scarico?

La resistenza di drain è la resistenza vista osservando il terminale di drain di un FET quando viene applicata una tensione al gate. È un parametro importante che influisce sulle prestazioni dei circuiti FET. Resistenza allo scarico viene solitamente misurato utilizzando Kilohm per Resistenza elettrica. Tieni presente che il valore di Resistenza allo scarico è sempre negativo.

Il Resistenza allo scarico può essere negativo?

SÌ, Resistenza allo scarico, misurato in Resistenza elettrica Potere può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Resistenza allo scarico?

Resistenza allo scarico viene solitamente misurato utilizzando Kilohm[kΩ] per Resistenza elettrica. Ohm[kΩ], Megahm[kΩ], Microhm[kΩ] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Resistenza allo scarico.

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