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Teoria delle microonde
Resistenza allo scarico in Dispositivi a semiconduttore a microonde Formule
La resistenza di drenaggio è il rapporto tra la variazione della tensione da drain a source e la variazione corrispondente della corrente di drain per una tensione da gate a source costante. Ed è indicato da R
d
. Resistenza allo scarico viene solitamente misurato utilizzando Ohm per Resistenza elettrica. Tieni presente che il valore di Resistenza allo scarico è sempre positivo.
Formule per trovare Resistenza allo scarico in Dispositivi a semiconduttore a microonde
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Resistenza al drenaggio del MESFET
va
Formule Dispositivi a semiconduttore a microonde che utilizzano Resistenza allo scarico
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Frequenza massima delle oscillazioni in MESFET
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Resistenza alla fonte
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Resistenza alla metallizzazione del cancello
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Resistenza in ingresso
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Frequenza di taglio utilizzando la frequenza massima
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Elenco di variabili nelle formule Dispositivi a semiconduttore a microonde
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Frequenza massima delle oscillazioni
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Frequenza di taglio
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Resistenza alla fonte
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Resistenza alla metallizzazione del cancello
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Resistenza in ingresso
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FAQ
Qual è il Resistenza allo scarico?
La resistenza di drenaggio è il rapporto tra la variazione della tensione da drain a source e la variazione corrispondente della corrente di drain per una tensione da gate a source costante. Resistenza allo scarico viene solitamente misurato utilizzando Ohm per Resistenza elettrica. Tieni presente che il valore di Resistenza allo scarico è sempre positivo.
Il Resistenza allo scarico può essere negativo?
NO, Resistenza allo scarico, misurato in Resistenza elettrica non può può essere negativo.
Quale unità viene utilizzata per misurare Resistenza allo scarico?
Resistenza allo scarico viene solitamente misurato utilizzando Ohm[Ω] per Resistenza elettrica. Megahm[Ω], Microhm[Ω], Volt per Ampere[Ω] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Resistenza allo scarico.
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