Resistenza alla sorgente di scarico in Dispositivi transistor di base Formule

La resistenza del drain source nel MOSFET è definita come l’opposizione affrontata dalla corrente che scorre attraverso i terminali del drain source. Ed è indicato da R_ds. Resistenza alla sorgente di scarico viene solitamente misurato utilizzando Kilohm per Resistenza elettrica. Tieni presente che il valore di Resistenza alla sorgente di scarico è sempre positivo.