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Parametro effetto backgate in MOSFET Formule

Il parametro dell’effetto backgate si riferisce a un fenomeno che si verifica nei transistor ad effetto di campo, che sono dispositivi elettronici utilizzati per l’amplificazione, la commutazione e altri scopi. Ed è indicato da γp.

Formule per trovare Parametro effetto backgate in MOSFET

fxParametro effetto backgate in PMOS​va

Elenco di variabili nelle formule MOSFET

fx Concentrazione dei donatori ​va
fx Capacità di ossido ​va

FAQ

Qual è il Parametro effetto backgate?
Il parametro dell’effetto backgate si riferisce a un fenomeno che si verifica nei transistor ad effetto di campo, che sono dispositivi elettronici utilizzati per l’amplificazione, la commutazione e altri scopi.
Il Parametro effetto backgate può essere negativo?
{YesorNo}, Parametro effetto backgate, misurato in {OutputVariableMeasurementName} {CanorCannot} può essere negativo.
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