Parametro di transconduttanza di processo in PMOS in MOSFET Formule

Il parametro di transconduttanza di processo in PMOS (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor. Ed è indicato da k'_p. Parametro di transconduttanza di processo in PMOS viene solitamente misurato utilizzando Millisiemens per Conduttanza elettrica. Tieni presente che il valore di Parametro di transconduttanza di processo in PMOS è sempre negativo.

Formule per trovare Parametro di transconduttanza di processo in PMOS in MOSFET

fxParametro di transconduttanza di processo di PMOSva

Formule MOSFET che utilizzano Parametro di transconduttanza di processo in PMOS

fxDrain Current fornito da NMOS Funziona come sorgente di corrente controllata dalla tensioneva

fxAssorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOSva

fxAssorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS dato Vsdva

fxCorrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor PMOSva

fxAssorbimento di corrente nella regione di saturazione del transistor PMOS dato Vovva

fxCorrente di scarico complessiva del transistor PMOSva

Elenco di variabili nelle formule MOSFET

fx Mobilità dei fori nel canale va

fx Capacità di ossido va

FAQ

Qual è il Parametro di transconduttanza di processo in PMOS?

Il parametro di transconduttanza di processo in PMOS (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor. Parametro di transconduttanza di processo in PMOS viene solitamente misurato utilizzando Millisiemens per Conduttanza elettrica. Tieni presente che il valore di Parametro di transconduttanza di processo in PMOS è sempre negativo.

Il Parametro di transconduttanza di processo in PMOS può essere negativo?

SÌ, Parametro di transconduttanza di processo in PMOS, misurato in Conduttanza elettrica Potere può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Parametro di transconduttanza di processo in PMOS?

Parametro di transconduttanza di processo in PMOS viene solitamente misurato utilizzando Millisiemens[mS] per Conduttanza elettrica. Siemens[mS], Megasiemens[mS], Mho[mS] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Parametro di transconduttanza di processo in PMOS.

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