Parametro di transconduttanza di processo in MOSFET Formule

Il Process Transconductance Parameter (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor. Ed è indicato da k'_n. Parametro di transconduttanza di processo viene solitamente misurato utilizzando Ampere per Volt Quadrato per Parametro di transconduttanza. Tieni presente che il valore di Parametro di transconduttanza di processo è sempre negativo.

Formule MOSFET che utilizzano Parametro di transconduttanza di processo

fxTensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenzialeva

fxFattore di amplificazione per modello MOSFET a piccolo segnaleva

FAQ

Qual è il Parametro di transconduttanza di processo?

Il Process Transconductance Parameter (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor. Parametro di transconduttanza di processo viene solitamente misurato utilizzando Ampere per Volt Quadrato per Parametro di transconduttanza. Tieni presente che il valore di Parametro di transconduttanza di processo è sempre negativo.

Il Parametro di transconduttanza di processo può essere negativo?

SÌ, Parametro di transconduttanza di processo, misurato in Parametro di transconduttanza Potere può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Parametro di transconduttanza di processo?

Parametro di transconduttanza di processo viene solitamente misurato utilizzando Ampere per Volt Quadrato[A/V²] per Parametro di transconduttanza. Milliampere per Volt Quadrato[A/V²], Microampere per Volt Quadrato[A/V²] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Parametro di transconduttanza di processo.

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