Parametro del processo di transconduttanza in MOSFET Formule

Il parametro del processo di transconduttanza è una costante specifica del dispositivo che caratterizza la capacità del transistor di convertire una variazione della tensione di gate in una variazione della corrente di uscita. Ed è indicato da k_n. Parametro del processo di transconduttanza viene solitamente misurato utilizzando Ampere per Volt Quadrato per Parametro di transconduttanza. Tieni presente che il valore di Parametro del processo di transconduttanza è sempre negativo.

Formule MOSFET che utilizzano Parametro del processo di transconduttanza

fxTempo di saturazioneva

fxRitardo temporale quando NMOS funziona nella regione lineareva

FAQ

Qual è il Parametro del processo di transconduttanza?

Il parametro del processo di transconduttanza è una costante specifica del dispositivo che caratterizza la capacità del transistor di convertire una variazione della tensione di gate in una variazione della corrente di uscita. Parametro del processo di transconduttanza viene solitamente misurato utilizzando Ampere per Volt Quadrato per Parametro di transconduttanza. Tieni presente che il valore di Parametro del processo di transconduttanza è sempre negativo.

Il Parametro del processo di transconduttanza può essere negativo?

SÌ, Parametro del processo di transconduttanza, misurato in Parametro di transconduttanza Potere può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Parametro del processo di transconduttanza?

Parametro del processo di transconduttanza viene solitamente misurato utilizzando Ampere per Volt Quadrato[A/V²] per Parametro di transconduttanza. Milliampere per Volt Quadrato[A/V²], Microampere per Volt Quadrato[A/V²] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Parametro del processo di transconduttanza.

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