FormulaDen.com
Fisica
Chimica
Matematica
Ingegneria Chimica
Civile
Elettrico
Elettronica
Elettronica e strumentazione
Scienza dei materiali
Meccanico
Ingegneria di produzione
Finanziario
Salute
Tu sei qui
-
Casa
»
Ingegneria
»
Elettrico
»
Elettronica di potenza
FET conduttanza del canale in Dispositivi transistor avanzati Formule
La conduttanza del canale FET è la misura di quanto bene il canale di un FET conduce la corrente. È determinato dalla mobilità dei portatori di carica nel canale. Ed è indicato da G
o(fet)
. FET conduttanza del canale viene solitamente misurato utilizzando Millisiemens per Conduttanza elettrica. Tieni presente che il valore di FET conduttanza del canale è sempre negativo.
Formule Dispositivi transistor avanzati che utilizzano FET conduttanza del canale
f
x
Corrente di drenaggio della regione ohmica del FET
va
FAQ
Qual è il FET conduttanza del canale?
La conduttanza del canale FET è la misura di quanto bene il canale di un FET conduce la corrente. È determinato dalla mobilità dei portatori di carica nel canale. FET conduttanza del canale viene solitamente misurato utilizzando Millisiemens per Conduttanza elettrica. Tieni presente che il valore di FET conduttanza del canale è sempre negativo.
Il FET conduttanza del canale può essere negativo?
SÌ, FET conduttanza del canale, misurato in Conduttanza elettrica Potere può essere negativo.
Quale unità viene utilizzata per misurare FET conduttanza del canale?
FET conduttanza del canale viene solitamente misurato utilizzando Millisiemens[mS] per Conduttanza elettrica. Siemens[mS], Megasiemens[mS], Mho[mS] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare FET conduttanza del canale.
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!